[發(fā)明專利]一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310657273.9
• 申請(qǐng)日: 2013-12-09
• 公開（公告）號(hào): CN103604835A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于軍勝;黃偉;王瀚雨;王曉;蔣泉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N27/00
• 分類號(hào): G01N27/00
• 代理公司: 成都華典專利事務(wù)所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;楊保剛

1.一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

①先對(duì)襯底進(jìn)行徹底的清洗，清洗后干燥；

②在襯底的表面制備柵電極，形成柵電極的圖形；

③在鍍有柵電極的基板的上制備介電層；

④對(duì)形成的介電層進(jìn)行氧等離子轟擊；

⑤在已形成柵電極，以及己覆蓋經(jīng)氧等離子轟擊的介電層的基板上制備有機(jī)半導(dǎo)體膜；

⑥然后制備源電極和漏電極，形成源電極，漏電極圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟④中，氧等離子轟擊功率范圍為20~1000?W，轟擊時(shí)間為1~120秒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟③中，介電層包括二氧化硅、三氧化二鋁、五氧化二鉭、氮化硅、二氧化鈦、二氧化鉿、聚乙烯醇、聚酰亞胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯，介電層厚度為5~2000?nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟①中，襯底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金屬箔制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟⑤中，有機(jī)半導(dǎo)體層包括并四苯、并五苯、6，13-二三異丙酯硅基乙炔并五苯、酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鈷、紅熒烯、六噻吩、聚噻吩或富勒烯，有機(jī)半導(dǎo)體層厚度為2~100?nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟②⑥中，柵電極、源電極和漏電極由金屬及其合金材料、金屬氧化物或?qū)щ姀?fù)合材料制成，源電極和漏電極的厚度為10~100?nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟②⑥中，柵電極、源電極、漏電極是通過真空熱蒸鍍、磁控濺射、等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、絲網(wǎng)印刷、打印或旋涂中的一種方法制備。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟③中，介電層是通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、熱氧化、旋涂或者真空蒸鍍中的一種方法制備。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于有機(jī)薄膜晶體管一氧化碳?xì)怏w傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟⑤中，有機(jī)半導(dǎo)體層是通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、熱氧化、旋涂、真空蒸鍍、輥涂、滴膜、壓印、印刷或氣噴中的一種方法制備。