[發明專利]用于含銅金屬層的蝕刻劑組合物及制造陣列基板的方法

在審

• 申請號: 201310656388.6
• 申請日: 2013-12-06
• 公開（公告）號: CN103911614A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 權五炳;金童基;李智娟
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/02;H01L21/77;H01L21/3213
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 楊黎峰;石磊

1.一種用于含銅金屬層的蝕刻劑組合物，包括：5重量%至25重量%的過氧化氫；0.1重量%至5重量%的在分子中具有N-H鍵和羧基的水溶性化合物；0.1重量%至10重量%的二乙烯三胺五乙酸或其鹽；和余量的水。

2.根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述含銅金屬層包括銅或銅合金單層、具有鉬層和在所述鉬層上形成的銅層的銅-鉬層、具有鉬合金層和在所述鉬合金層上形成的銅層的銅-鉬合金層、或具有金屬氧化物層和在所述金屬氧化物層上形成的銅層的銅-金屬氧化物層。

3.根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述具有N-H鍵和羧基的水溶性化合物選自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、和肌氨酸中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述二乙烯三胺五乙酸鹽為二乙烯三胺五乙酸五鈉鹽。

5.根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括磷酸鹽化合物。

6.根據權利要求5所述的蝕刻劑組合物，其中，所述磷酸鹽化合物選自磷酸鈉、磷酸鉀、和磷酸銨中的至少一種。

7.根據權利要求5所述的蝕刻劑組合物，其中，以所述用于含銅金屬層的蝕刻劑組合物的總重量計，所包括的所述磷酸鹽化合物的量為0.1重量%至5重量%。

8.根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括無氮的有機酸。

9.根據權利要求8所述的蝕刻劑組合物，其中，所述無氮的有機酸選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、和草酸中的至少一種。

10.根據權利要求8所述的蝕刻劑組合物，其中，以所述用于含銅金屬層的蝕刻劑組合物的總重量計，所包括的所述無氮的有機酸的量為0.1重量%至5重量%。

11.根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括水溶性環胺化合物。

12.根據權利要求11所述的蝕刻劑組合物，其中，所述水溶性環胺化合物選自氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、和吡咯啉中的至少一種。

13.根據權利要求11所述的蝕刻劑組合物，其中，以所述用于含銅金屬層的蝕刻劑組合物的總重量計，所包括的所述水溶性環胺化合物的量為0.1重量%至5重量%。

14.根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括含氟化合物。

15.根據權利要求14所述的蝕刻劑組合物，其中，所述含氟化合物選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、和氟化氫鉀中的至少一種。

16.根據權利要求14所述的蝕刻劑組合物，其中，以所述用于含銅金屬層的蝕刻劑組合物的總重量計，所包括的所述含氟化合物的量為0.01重量%至1重量%。

17.一種蝕刻含銅金屬層的方法，包括：

（I）在基板上形成含銅金屬層；

（II）選擇性地在所述含銅金屬層上留下光反應型材料，以露出所述含銅金屬層的一部分；和

（III）使用根據權利要求1至16中任一項所述的蝕刻劑組合物，蝕刻所述被露出的含銅金屬層。

18.一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，包括：

（a）在基板上形成柵極導線；

（b）在所述基板上形成柵極絕緣層，所述基板具有在所述基板上形成的所述柵極導線；

（c）在所述柵極絕緣層上形成半導體層；

（d）在所述半導體層上形成源極導線和漏極導線；和

（e）形成與所述漏極導線連接的像素電極，

其中，所述（a）過程包括：在所述基板上形成含銅金屬層，和使用根據權利要求1至16中任一項所述的蝕刻劑組合物，蝕刻所述含銅金屬層，以形成所述柵極導線，和

所述（d）過程包括：在所述基板上形成含銅金屬層，和使用根據權利要求1至16中任一項所述的蝕刻劑組合物，蝕刻所述含銅金屬層，以形成所述源極導線和漏極導線。

19.根據權利要求18所述的方法，其中，所述用于液晶顯示器的陣列基板為薄膜晶體管TFT陣列基板。