[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310656037.5
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN103745965B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發(fā)明（設計）人: 石明達;石磊;陶玉娟
• 申請（專利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發(fā)明涉及半導體封裝領域，特別涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術

隨著電子產(chǎn)品如手機、筆記本電腦等朝著小型化，便攜式，超薄化，多媒體化以及滿足大眾需求的低成本方向發(fā)展，高密度、高性能、高可靠性和低成本的封裝形式及其組裝技術得到了快速的發(fā)展。與價格昂貴的BGA（Ball?Grid?Array）等封裝形式相比，近年來快速發(fā)展的新型封裝技術，如四邊扁平無引腳QFN（Quad?Flat?No-leadPackage）封裝，由于其具有良好的熱性能和電性能、尺寸小、成本低以及高生產(chǎn)率等眾多的優(yōu)點，引發(fā)了微電子封裝技術領域的一場新的革命。

圖1為現(xiàn)有的QFN封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述QFN封裝結(jié)構(gòu)包括：半導體芯片14，所述半導體芯片14上具有焊盤15；引腳16（引線框架），所述引腳16圍繞所述半導體芯片14的四周排列；金屬導線17，金屬導線17將半導體芯片14的焊盤15與環(huán)繞所述半導體芯片14的引腳16電連接；塑封材料18，所述塑封材料18將半導體芯片15、金屬線17和引腳16密封，引腳16的表面裸露在塑封材料的底面，通過引腳16實現(xiàn)半導體芯片14與外部電路的電連接。

現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)占據(jù)的體積較大，不利于封裝結(jié)構(gòu)集成度的提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是怎樣減小封裝結(jié)構(gòu)占據(jù)的體積。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供引線框金屬層；刻蝕所述引線框金屬層，形成若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有開口；在引腳的表面形成第一金屬凸塊；在第一金屬凸塊的頂部和側(cè)壁表面形成焊料層；提供半導體芯片，所述半導體芯片的表面形成有焊盤，所述焊盤上形成有第二金屬凸塊；將半導體芯片倒裝在引腳上方，將半導體芯片上的第二金屬凸塊與第一金屬凸塊表面的焊料層焊接在一起。

可選的，所述引腳的形成過程為：所述引線框金屬層包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，刻蝕引線框金屬層的第一表面，在引線框金屬層內(nèi)形成若干第一開口；刻蝕引線框金屬層的第二表面，在引線框金屬層內(nèi)形成若干第二開口，第一開口和第二開口相互貫穿，第一開口和第二開口構(gòu)成開口，相鄰開口之間為引腳。

可選的，在形成第一開口或第二開口之前，還包括：在所述引線框金屬層的第一表面形成第一圖形化的掩膜層；在所述引線框金屬層的第二表面形成第二圖形化的掩膜層。

可選的，所述第一開口的寬度小于第二開口的寬度，所述第一金屬凸塊位于引腳的第一表面上。

可選的，刻蝕引腳的表面，在引腳內(nèi)形成凹槽，在凹槽內(nèi)形成第一金屬凸塊，所述第一金屬凸塊的頂部表面高于凹槽開口的表面。

可選的，所述第一金屬凸塊的寬度小于凹槽的寬度。

可選的，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側(cè)的凹槽的側(cè)壁和底部表面。

可選的，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側(cè)的凹槽的側(cè)壁和底部表面、以及引腳的部分表面。

可選的，形成所述焊料層的工藝為網(wǎng)板印刷。

可選的，所述第二金屬凸塊為焊球或金屬柱，或者包括金屬柱和金屬柱頂部的焊球。

可選的，將半導體芯片上的第二金屬凸塊與第一金屬凸塊表面的焊料層焊接在一起的工藝為回流工藝。

可選的，還包括：形成密封所述半導體芯片、第一金屬凸塊、第二金屬凸塊并填充滿開口的塑封層。

本發(fā)明還提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有開口；位于所述引腳的表面上的第一金屬凸塊；覆蓋所述第一金屬凸塊頂部和側(cè)壁的焊料層；半導體芯片，所述半導體芯片的表面具有有焊盤，所述焊盤上具有第二金屬凸塊，半導體芯片倒裝在引腳上方，半導體芯片上的第二金屬凸塊與引腳上的第一金屬凸塊通過焊料層焊接在一起。

可選的，所述開口包括相互貫穿的第一開口和第二開口，所述第一開口的寬度小于第二開口的寬度。

可選的，所述第一金屬凸塊位于引腳的遠離第二開口的一端表面上。

可選的，所述引腳的表面具有凹槽，第一金屬凸塊位于凹槽內(nèi)，所述第一金屬凸塊的頂部表面高于凹槽的開口表面。

可選的，所述第一金屬凸塊的寬度小于凹槽的寬度。

如權(quán)利要求17所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側(cè)的凹槽的側(cè)壁和底部表面。

可選的，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側(cè)的凹槽的側(cè)壁和底部表面、以及引腳的部分表面。

可選的，還包括：密封所述半導體芯片、第一金屬凸塊、第二金屬凸塊并填充滿開口的塑封層。