[發明專利]一種硅酸鋁鎵鈮鈣壓電晶體及其制備方法在審
| 申請號： | 201310655286.2 | 申請日： | 2013-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN104695017A | 公開（公告）日： | 2015-06-10 |
| 發明（設計）人： | 熊開南;鄭燕青;涂小牛;林全明;李亞喬;施爾畏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所;上海硅酸鹽研究所中試基地 |
| 主分類號： | C30B29/34 | 分類號： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅酸鋁 鎵鈮鈣 壓電 晶體 及其 制備 方法 | ||
1.一種硅酸鋁鎵鈮鈣壓電晶體，其特征在于：其化學通式為Ca3NbAl(3-x)GaxSi2O14，其中，0.05＜x＜2.5；所述晶體具有與硅酸鎵鑭晶體相同的晶體結構，屬空間群P321、點群32。
2.如權利要求1所述的硅酸鋁鎵鈮鈣壓電晶體，其特征在于：1≤x≤1.5。
3.一種如權利要求1或2所述的硅酸鋁鎵鈮鈣壓電晶體的制備方法，其特征在于：
為提拉生長法。
4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，包括如下操作步驟：
a)按Ca3NbAl(3-x)GaxSi2O14的化學計量比稱取CaCO3、Nb2O5、Al2O3、Ga2O3和SiO2各粉體，混勻后壓塊，然后在1100～1300℃下燒結，得到Ca3NbAl(3-x)GaxSi2O14多晶料；
b)將CTGS籽晶和步驟a)中獲得的多晶料裝入坩堝中，以150～250℃/小時的升溫速率加熱至1300～1600℃，待多晶料熔化后，保溫使熔體狀態穩定，然后降溫至下種溫度，開始進行晶體生長：控制轉速為5～30轉/分鐘，提拉速度為0.1～5毫米/小時；
c)生長結束后將晶體脫離熔體，將晶體降溫至室溫。
5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟b)中的加溫方式是采用中頻感應電源加熱。
6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟b)中所述的坩堝為鉑坩堝或銥坩堝。
7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟c)中的降溫速率為30～120℃/小時。
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