[發明專利]封裝結構的形成方法有效
| 申請號: | 201310655148.4 | 申請日: | 2013-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN103745933A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 陶玉娟;劉培生 | 申請(專利權)人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 226006 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 形成 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體封裝領域,特別涉及一種封裝結構的形成方法。
背景技術
隨著電子產品如手機、筆記本電腦等朝著小型化,便攜式,超薄化,多媒體化以及滿足大眾需求的低成本方向發展,高密度、高性能、高可靠性和低成本的封裝形式及其組裝技術得到了快速的發展。與價格昂貴的BGA(Ball?Grid?Array)等封裝形式相比,近年來快速發展的新型封裝技術,如四邊扁平無引腳QFN(Quad?Flat?No-leadPackage)封裝,由于其具有良好的熱性能和電性能、尺寸小、成本低以及高生產率等眾多的優點,引發了微電子封裝技術領域的一場新的革命。
圖1為現有的QFN封裝結構的結構示意圖,所述QFN封裝結構包括:半導體芯片14,所述半導體芯片14上具有焊盤15;引腳16(引線框架),所述引腳16圍繞所述半導體芯片14的四周排列;金屬導線17,金屬導線17將半導體芯片14的焊盤15與環繞所述半導體芯片14的引腳16電連接;塑封材料18,所述塑封材料18將半導體芯片15、金屬線17和引腳16密封,引腳16的表面裸露在塑封材料的底面,通過引腳16實現半導體芯片14與外部電路的電連接。
現有的引線框封裝只能針對單個的半導體芯片和引線框架的封裝,封裝效率較低。
發明內容
本發明解決的問題是怎么提高封裝的效率。
為解決上述問題,本發明提供一種封裝結構的形成方法,包括:提供引線框架,所述引線框架包括第一表面和與第一表面相對的第二表面,所述引線框架上具有若干呈矩陣排布的承載單元和位于承載單元之間用于固定承載單元的中筋,每個承載單元具有若干分立的引腳,相鄰引腳之間具有開口;在引腳的第一表面形成第一金屬凸塊;提供預封面板,預封面板,所述預封面板包括第一塑封層,第一塑封層內具有若干呈矩陣排布的集成單元,每個集成單元內具有至少一個半導體芯片,所述半導體芯片表面上具有若干焊盤,第一塑封層暴露出半導體芯片上的焊盤,所述焊盤上具有第二金屬凸塊,第二金屬凸塊上形成有焊料層;將預封面板倒裝在引線框架的第一表面上,使得預封面板中的集成單元與引線框架中的承載單元對應,將集成單元中的半導體芯片上的第二金屬凸塊與承載單元中引腳上的第一金屬凸塊通過焊料層焊接在一起,形成若干矩陣排布的封裝單元;填充滿引腳之間的開口并填充所述預封面板與引線框架的第一表面之間空間的第二塑封層,第二塑封層暴露出引腳的第二表面;沿封裝單元進行切割,形成若干分立的封裝結構。
可選的,所述引線框架的形成過程為:提供引線框金屬層,所述引線框金屬層包括若干呈矩陣排布的承載區域和位于相鄰的承載區域之間的中筋區域;刻蝕所述引線框金屬層的承載區域,形成若干分立的引腳,相鄰引腳之間具有開口,引腳的一個側面與中筋區域相連,另外三個側面懸空,每個承載區域中形成的若干引腳構成引線框架的承載單元,固定引腳的中筋區域構成引線框架的中筋。
可選的,所述開口包括相互貫穿的第一開口和第二開口,所述第一開口的寬度小于第二開口的寬度,所述第一金屬凸塊位于引腳遠離第二開口的表面上。
可選的,所述第一開口和第二開口的形成過程為:所述引線框金屬層包括第一表面和與第一表面相對的第二表面,刻蝕引線框金屬層的承載區域的第一表面,在引線框金屬層的承載區域內形成若干第一開口;刻蝕引線框金屬層的承載區域的第二表面,在引線框金屬層的承載區域內形成若干第二開口,第一開口和第二開口相互貫穿,第一開口和第二開口構成開口。
可選的,刻蝕引腳的表面,在引腳內形成凹槽,在凹槽內形成第一金屬凸塊,所述第一金屬凸塊的頂部表面高于凹槽開口的表面。
可選的,所述第一金屬凸塊的寬度小于凹槽的寬度。
可選的,所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面。
可選的,所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面、以及引腳的部分表面。
可選的,還包括:在所述預封面板的相鄰集成單元之間的部分第一塑封層內形成若干分立的貫穿第一塑封層厚度的第一槽孔。
可選的,還包括:在所述承載單元之間的部分中筋中形成若干分立的貫穿中筋厚度的第二槽孔。
與現有技術相比,本發明的技術方案具有以下優點:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





