[發明專利]基于面積的OPC模型校準方法

有效

• 申請號: 201310654729.6
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN104698761A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 王良
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種基于面積的OPC模型校準方法，其特征在于，包括：

提供初始的OPC模型、晶圓圖形、與所述晶圓圖形相對應的初始的OPC模型、可讀取的晶圓圖形文件和形成所述晶圓圖形的光刻工藝參數；

獲取所述晶圓圖形的實際面積；

將所述晶圓圖形文件和上述光刻工藝參數輸入到初始的OPC模型中，得到與晶圓圖形相對應的仿真圖形，獲取所述仿真圖形的面積；

以所述晶圓圖形的實際面積為基準，對所述初始的OPC模型進行校準，直至由校準后的OPC模型得到的仿真圖形的面積與對應的晶圓圖形的實際面積之間的相差值小于等于第一預定值，將該校準后的OPC模型作為最終的OPC模型。

2.如權利要求1所述的基于面積的OPC模型校準方法，其特征在于，對所述初始的OPC模型進行校準的方法為：修改可調光學模型參數，得到過渡OPC模型，使得由所述過渡OPC模型仿真得到的過渡仿真圖形的面積與晶圓圖形的實際面積之間的相差值小于等于第二預定值，所述第二預定值大于第一預定值；之后固定所述可調光學模型參數，校準光刻膠模型參數，得到最終的OPC模型。

3.如權利要求2所述的基于面積的OPC模型校準方法，其特征在于，所述可調光學模型參數包括曝光光束焦距、離焦起始點的位置、光瞳衰減半徑，光瞳邊緣透射率。

4.如權利要求2所述的基于面積的OPC模型校準方法，其特征在于，所述光刻膠模型參數包括反映光刻膠后烘、顯影、酸堿中和以及酸堿擴散工藝過程的參數。

5.如權利要求1所述的基于面積的OPC模型校準方法，其特征在于，所述光刻工藝參數包括用作曝光的光源發出的光的波長、光源相干因子、數值孔徑、光刻膠層的材料、厚度、折射率、透射率。

6.如權利要求1所述的基于面積的OPC模型校準方法，其特征在于，所述晶圓圖形包括多個子晶圓圖形，所述仿真圖形包括多個子仿真圖形，所述子仿真圖形與所述子晶圓圖形一一對應，分別比較各子仿真圖形的面積和子晶圓圖形的實際面積之間的差值；根據各子仿真圖形的面積和子晶圓圖形之間的實際面積的差值，獲取仿真圖形的面積與對應的晶圓圖形的實際面積之間相差值。

7.如權利要求6所述的基于面積的OPC模型校準方法，其特征在于，所述仿真圖形的面積與對應的晶圓圖形的實際面積之間相差值為：各子仿真圖形和子晶圓圖形之間的面積差值的加權均方根。

8.如權利要求1所述的基于面積的OPC模型校準方法，其特征在于，對所述初始的OPC模型進行校準的過程中得到多個臨時OPC模型，各所述臨時OPC模型的仿真圖形的面積與對應的晶圓圖形的實際面積之間的相差值小于等于第一預定值；分別依據各臨時OPC模型得到的仿真圖形的面積獲取該仿真圖形的面積與對應的晶圓圖形的實際面積之間的相差值；比較各相差值，選取與最小的相差值相對應的臨時OPC模型作為最終的OPC模型。