[發(fā)明專利]調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310654659.4
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN103681313A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設計）人: 于祝鵬
• 申請（專利權）人: 深圳深愛半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，包括在氫氣氣氛中對集電極反向擊穿電壓大于預期值的雙極結型晶體管進行退火，以降低集電極反向擊穿電壓的步驟。

2.根據(jù)權利要求1所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，包括檢測雙極結型晶體管的集電極反向擊穿電壓是否大于預期值的步驟。

3.根據(jù)權利要求1所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，所述在氫氣氣氛中對集電極反向擊穿電壓大于預期值的雙極結型晶體管進行退火的步驟之前，包括使雙極結型晶體管的鋁和硅形成合金的步驟。

4.根據(jù)權利要求1所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，所述在氫氣氣氛中對集電極反向擊穿電壓大于預期值的雙極結型晶體管進行退火的步驟之后，包括在所述合金表面淀積氮化硅的步驟。

5.根據(jù)權利要求1-4中任意一項所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，所述在氫氣氣氛中對集電極反向擊穿電壓大于預期值的雙極結型晶體管進行退火的步驟的退火溫度為425～435℃。

6.根據(jù)權利要求5所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，所述退火溫度為430℃。

7.根據(jù)權利要求5所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，所述在氫氣氣氛中對集電極反向擊穿電壓大于預期值的雙極結型晶體管進行退火的步驟，包括預熱及雙極結型晶體管移入階段、集電極反向擊穿電壓調整階段、雙極結型晶體管移出階段，所述預熱及雙極結型晶體管移入階段和雙極結型晶體管移出階段需要通入保護氣體。

8.根據(jù)權利要求7所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，所述集電極反向擊穿電壓調整階段需要通入氫氣及所述保護氣體，流量分別為：氫氣0.9標準公升每分鐘±1%，保護氣體9標準公升每分鐘±1%。

9.根據(jù)權利要求8所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，所述集電極反向擊穿電壓調整階段的持續(xù)時間根據(jù)需要降低的集電極反向擊穿電壓值確定，每10伏特30分鐘。

10.根據(jù)權利要求6-9中任意一項所述的調整雙極結型晶體管集電極反向擊穿電壓的方法，其特征在于，所述保護氣體為氮氣。