[發(fā)明專(zhuān)利]具有電源狀態(tài)傳感器的存儲(chǔ)器電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310654610.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104700886B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔璟;章沙雁;趙云午 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 恩智浦美國(guó)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C11/413 | 分類(lèi)號(hào): | G11C11/413 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 金曉 |
| 地址: | 美國(guó)得*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 電源 狀態(tài) 傳感器 存儲(chǔ)器 電路 | ||
用于數(shù)據(jù)處理器的電源控制電路用相應(yīng)于存儲(chǔ)器性能等級(jí)的供電電壓供應(yīng)存儲(chǔ)器陣列。所述性能等級(jí)包括完全性能等級(jí)進(jìn)而省電性能等級(jí)。電壓傳感電路傳感所述存儲(chǔ)器陣列的電壓等級(jí)并且輸出電源狀態(tài)信號(hào)。所述電源狀態(tài)信號(hào)用于確定當(dāng)所述存儲(chǔ)器陣列是蘇醒時(shí),能夠被訪問(wèn)。
背景技術(shù)
本發(fā)明一般地涉及數(shù)據(jù)處理裝置,并且更具體地,涉及確定存儲(chǔ)器電路的電源狀態(tài)。
鑒于供電電池、便攜式電子設(shè)備的廣泛性,電源消耗量的減少是目前集成電路設(shè)計(jì)的重要方面。許多這樣的便攜式設(shè)備包括片上系統(tǒng)(SoC)。SoC通常包括處理器和一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器,并且存儲(chǔ)器占據(jù)SoC的電源消耗的相當(dāng)大的部分。
根據(jù)現(xiàn)在的處理工作負(fù)荷,通過(guò)改變供應(yīng)電路組件(例如存儲(chǔ)器)的電源來(lái)管理電源消耗是公知的。例如,存儲(chǔ)器在閑置處理期間處于低功耗睡眠模式,并且在主動(dòng)處理期間處于高功率運(yùn)行模式。在不同的電源模式中,可以動(dòng)態(tài)改變供給電壓和時(shí)鐘頻率中的至少一個(gè),使得系統(tǒng)當(dāng)被需要時(shí)能夠傳輸高的吞吐量,而通過(guò)低速率/功耗期間的使用延長(zhǎng)電池壽命。
在這樣的電源管理策略中,當(dāng)存儲(chǔ)器是睡眠或在低功耗模式時(shí),直到存儲(chǔ)器完全蘇醒過(guò)來(lái)才能訪問(wèn)存儲(chǔ)器陣列。因此,對(duì)于存儲(chǔ)器從睡眠模式轉(zhuǎn)變?yōu)橥耆\(yùn)行模式所需要的時(shí)間是重要的。在傳統(tǒng)的系統(tǒng)中,電源管理控制器在預(yù)定喚醒時(shí)間期間保持對(duì)存儲(chǔ)器的訪問(wèn)。通過(guò)模擬預(yù)先確定喚醒時(shí)間,然后為保持時(shí)間賦值。
當(dāng)為喚醒時(shí)間使用固定延遲時(shí)可能產(chǎn)生的一個(gè)問(wèn)題就是,由于實(shí)際的電路運(yùn)行取決于處理、電壓和溫度(PVT)而變化,因而固定延遲值本質(zhì)上是不準(zhǔn)確的。因此,如果估計(jì)的延遲時(shí)間少于實(shí)際的延遲時(shí)間,那么電源管理控制器在存儲(chǔ)器實(shí)際運(yùn)行之前將允許執(zhí)行存儲(chǔ)器訪問(wèn),這可能導(dǎo)致系統(tǒng)故障。因此,擁有用于確定實(shí)際的存儲(chǔ)器喚醒時(shí)間的比較好的方式將是有利的。
附圖簡(jiǎn)述
通過(guò)參考示例實(shí)施例的下面的描述連同附圖一起,可以理解本發(fā)明,其中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括電源狀態(tài)反饋單元的片上系統(tǒng)的示意性框圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的包括多個(gè)電源狀態(tài)反饋單元的片上系統(tǒng)的示意性框圖;
圖3是圖1的電源狀態(tài)反饋單元的示意性框圖;
圖4是示出了圖3的開(kāi)關(guān)控制器的示意性框圖;
圖5是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基于省電狀態(tài)和運(yùn)行狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)變的存儲(chǔ)器電路的電壓截止閾值的曲線圖;
圖6是示出了采用傳統(tǒng)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器喚醒事件的允許存儲(chǔ)器訪問(wèn)的相對(duì)時(shí)序的時(shí)序圖;
圖7是示出了采用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器喚醒事件的允許存儲(chǔ)器訪問(wèn)的相對(duì)時(shí)序的時(shí)序圖;
圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例示出了SRAM陣列喚醒處理的流程圖;以及
圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例示出了用于檢測(cè)具有引起存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)丟失/損壞的可能性的電壓擾動(dòng)以及用于觸發(fā)任何丟失數(shù)據(jù)的恢復(fù)的處理的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖說(shuō)明的詳細(xì)描述旨在作為目前優(yōu)選的本發(fā)明的實(shí)施例的描述,并不旨在代表本發(fā)明可能被實(shí)施例的唯一的形式。將理解,相同或者相等的功能可以通過(guò)不同的實(shí)施例完成,這些實(shí)施例旨在被包括在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。在圖中,相同的數(shù)字被用于通篇說(shuō)明相同的元件。此外,術(shù)語(yǔ)“包括”“包含”或者其任何其他的變化形式,旨在覆蓋非窮舉的包含,例如包括了一系列的元件或步驟的模塊、電路、設(shè)備組件、結(jié)構(gòu)以及方法步驟,這些元件和步驟不僅僅這些元件,而是包括了相對(duì)這樣的模塊、電路、設(shè)備組件或步驟沒(méi)有明確列出或者特有的其他的元件或步驟。通過(guò)“包括……一個(gè)”進(jìn)行的元件或步驟并不(沒(méi)有更多的限制)排除包括該元件或步驟的附加的同等的元件或步驟的存在。
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