[發明專利]一種LED標準方片及其制作方法

有效

• 申請號: 201310654117.7
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN103681988A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 賴余盟;陳起偉;周立業;繆炳有;李斌
• 申請（專利權）人: 西安神光皓瑞光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 倪金榮

1.一種LED標準方片，其特征在于：包括膠膜，膠膜上設置多個晶粒，所述晶粒選自具有相同襯底、相同磊晶工藝的外延結構、相同芯片制造工藝的LED晶圓片，所述LED晶圓片的波長的標準差6≥λstd≥3、光強IV標準差IVstd≤8；所述晶粒的漏電流Ir的最大值均相等、順向電壓Vf的最小值均相等、順向電壓Vf的最大值均相等；

所述多個晶粒按波長劃分為n個BIN，分別為BIN1、BIN2、…、BINn，n為大于或等于10的自然數且小于或等于分選設備最大可分類數；BIN1、BIN2、…、BINn在膠膜上由左向右依次排布，每個BIN有I列M排；

BIN1中任意晶粒的波長為λ1，BIN2中任意晶粒的波長為λ2，…、BINn中任意晶粒的波長為λn；

λ1、λ2、…、λn符合以下條件：

x≤λ1＜x+a，x+a≤λ2＜x+2a，…，x+(n-1)a≤λn＜x+na，

其中，445nm≤x≤450nm，0.1nm≤a≤2.0nm；

按照以下分組規則對n個BIN進行分組：至少1個BIN構成一組BIN，第一組BIN中任意晶粒的光強為IV1、第二組BIN中任意晶粒的光強為IV2、…、第t組BIN中任意晶粒的光強為IVt，t為正整數；

IV1、IV2、…、IVt符合以下條件：

IV1.avg×0.95≤IV1＜IV1.avg×1.10，IV2.avg×0.95≤IV2＜IV2.avg×1.10，…、IVt.avg×0.95≤IVt＜IVt.avg×1.10；

其中，IV1.avg為第一組BIN中所有晶粒的光強均值，IV2.avg為第二組BIN中所有晶粒的光強均值，…，IVt.avg為第t組BIN中所有晶粒的光強均值；

各個BIN排布的最大列數Imax＝分選設備置晶行程/Bw/n、排布的最大排數Mmax＝分選設備置晶行程/Bl；Bw為標準方片橫向上相鄰的兩個晶粒同一側長邊的間距，B1為標準方片縱向上相鄰的兩個晶粒同一側短邊的間距。

2.根據權利要求1所述的LED標準方片，其特征在于：所述a＝1.0nm。

3.根據權利要求1或2所述的LED標準方片，其特征在于：所述晶粒的形狀是長方形，在所述膠膜上，每個晶粒的兩個長邊位于左右兩側，兩個短邊位于上下兩側。

4.根據權利要求3所述的LED標準方片，其特征在于：所述n＝30；該30個BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值為1uA～2uA、晶粒的順向電壓Vf的最小值和最大值分別為2.8V～3.0V和3.2V～3.4V；

所述BIN1中λ1的最小值為445nm、λ1的最大值為445.9nm，自BIN1起，每個BIN中波長的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式遞增。

5.根據權利要求4所述的LED標準方片，其特征在于：

所述30個BIN中晶粒的漏電流Ir的最大值為1uA、晶粒的順向電壓Vf的最小值和最大值分別為2.8V和3.2V；

所述分組規則是指：設BIN1至BIN5為第一組BIN，第一組BIN中晶粒的光強的最小值為80mcd、最大值為90mcd，各組BIN中晶粒的光強的最小值和最大值均按照等差10mcd的方式遞增。