[發明專利]一種低功耗的熔絲讀取電路及方法在審
| 申請號: | 201310653381.9 | 申請日: | 2013-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN103915118A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 田澤;邵剛;郎靜;李世杰;楊峰;郭蒙;王泉 | 申請(專利權)人: | 中國航空工業集團公司第六三一研究所 |
| 主分類號: | G11C17/18 | 分類號: | G11C17/18 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人: | 楊引雪 |
| 地址: | 710119 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功耗 讀取 電路 方法 | ||
1.一種低功耗的熔絲讀取電路,其特征在于:包括熔絲、上電復位及熔絲狀態讀取模塊、鎖存模塊、邏輯判斷模塊、第一開關和第二開關;所述熔絲一端接地,另一端用于接收控制信號;第一開關一端用于連接外部電源,另一端與上電復位及熔絲狀態讀取模塊連接;第二開關一端與上電復位及熔絲狀態讀取模塊連接,另一端與熔絲接收控制信號端連接;上電復位及熔絲狀態讀取模塊用于監測外部電源電壓,根據電源電壓的大小控制第一開關和第二開關的導通和關閉,以及讀取熔絲狀態并輸出信號;所述鎖存模塊是與熔絲并聯的電容;用于當熔絲狀態為燒斷時,將電容的狀態鎖存,用時關閉第一開關的電路通路;所述邏輯判斷模塊用于確定所述熔絲狀態。
2.根據權利要求1所述的低功耗的熔絲讀取電路,其特征在于:所述上電復位及熔絲狀態讀取模塊內置的時序產生模塊,產生讀取和鎖存熔絲狀態的時序,控制熔絲狀態讀取電路的工作。
3.根據權利要求2所述的低功耗的熔絲讀取電路,其特征在于:所述第一開關、第二開關均為金屬氧化物半導體晶體管。
4.根據權利要求1至3任一所述的低功耗的熔絲讀取電路,其特征在于:所述第一開關與第二開關之間串聯一個用于限制峰值電流電阻。
5.一種低功耗的熔絲讀取方法,其特征在于,包括以下步驟:
1]上電復位模塊監測外部電源電壓,在電壓達到閾值電壓時,第一數字邏輯電平置為低電平,第一開關導通,對電容進行預先充電;
2]電容完成充電后,熔絲狀態信號置為高電平,此時第一開關關閉,第二開關導通;
3]第二開關導通后進行熔絲狀態的讀取,如果熔絲的狀態為連接,則步驟1中存儲在電容上的電荷將流經第二開關和熔絲進行泄放,使得電容的上極板最終狀態為低;如果熔絲的狀態為燒斷,則存儲在電容上的電荷將保持,使得電容的上極板最終狀態為高;
4]上電復位模塊在熔絲狀態被讀取到電容的上極板后將第二數字邏輯電平置為高電平,將電容上的狀態輸入至鎖存模塊,并由鎖存模塊輸出;
5]第二數字邏輯電平置為低電平,將電容的狀態鎖存,同時第一數字邏輯電平置為高電平,關閉第一開關的電流通路。
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