[發明專利]一種紫外響應稀土光轉換膜及其用途在審
| 申請號: | 201310653331.0 | 申請日: | 2013-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN103745981A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 朱藝敏;李陽;謝國威 | 申請(專利權)人: | 廣東普加福光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;C09K11/77 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 鄭瑩 |
| 地址: | 529020 廣東省江*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 紫外 響應 稀土 轉換 及其 用途 | ||
1.一種紫外響應稀土光轉換膜,其特征在于,所述稀土光轉換膜是由稀土配合物或稀土配合物與高透光率的成膜材料組成的具有改變光波波長功能的光轉換膜,該膜能將紫外光區的光轉換到成像器件敏感的波段。
2.根據權利要求1所述的紫外響應稀土光轉換膜,其特征在于,制備步驟如下:
1)將稀土元素與配體混合制備得到稀土配合物;
2)將稀土配合物和高透光率成膜材料混合均勻后,通過涂膜工藝在器件表面涂敷制得稀土光轉換膜;
所述稀土配合物在高透光率成膜材料中的濃度為0.1~100%。
3.根據權利要求2所述的紫外響應稀土光轉換膜,其特征在于,所述稀土元素包括銪或/和鋱,或由銪或/和鋱與其他稀土元素共同組成,且銪或鋱的含量占配合物中稀土摩爾百分含量的60%以上。
4.根據權利要求2所述的紫外響應稀土光轉換膜,其特征在于,所述配體為芳香羧酸類、含磺酸基的芳烴類、含羥基的芳烴類和雜環類有機物中的一種或幾種。
5.根據權利要求2~4任一項所述的紫外響應稀土光轉換膜,其特征在于,所述稀土配合物的制備步驟如下:
1)將稀土元素與配體混合;
2)往步驟1)所得的混合物中加入溶劑,混合均勻,所述溶劑為亞砜類、酰胺類、醇類有機物、水或重水中的至少一種;
3)攪拌下,調節步驟2)所得混合溶液的pH=5~8;
4)加熱蒸干步驟3)所得溶液中的溶劑,即得稀土配合物。
6.根據權利要求2所述的紫外響應稀土光轉換膜,其特征在于,所述高透光率成膜材料為聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酰胺、環氧樹脂類、有機硅類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和聚碳酸酯等聚合物中的一種或幾種。
7.根據權利要求1~6任一項所述的紫外響應稀土光轉換膜,其特征在于,所述紫外響應稀土光轉換膜兩側含有一層或多層高透光性的保護層或封裝層,該保護層或封裝層含有有機和/或無機材料,有機材料是聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酰胺、環氧樹脂類、有機硅類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和聚碳酸酯等聚合物中的一種或幾種,無機材料是玻璃、石英、硅膠等的一種或幾種。
8.根據權利要求7所述的紫外響應稀土光轉換膜,其特征在于,在紫外響應稀土光轉換膜表面或其保護層或封裝層表面可涂覆一層或多層量子點薄膜,所述量子點薄膜為專利申請公告號為CN102683369?A的發明專利中所述的量子點薄膜。
9.權利要求1~8任一項所述的紫外響應稀土光轉換膜在紫外指紋成像中的應用。
10.根據權利要求9所述的應用,其特征在于,所述紫外響應稀土光轉換膜可直接安裝在CCD或CMOS等硅基成像器件的表面或其正前方或直接涂覆在其表面,安裝光轉換膜后的相機與紫外光源一起組成紫外成像系統,可直接用于紫外指紋成像中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





