[發明專利]一種自動排布芯片版圖的方法在審
| 申請號: | 201310653279.9 | 申請日: | 2013-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN104701252A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發明(設計)人: | 張燕榮;張興洲;倪凌云;孫長江 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L21/50 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 殷曉雪 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 自動 排布 芯片 版圖 方法 | ||
技術領域
本申請涉及一種集成電路版圖的排布(即布局設計)方法。
背景技術
在半導體集成電路領域,光刻工藝是制造任何芯片(chip)所必須使用的,光刻工藝中會用到掩膜板(photomask,通常簡稱為mask)。掩膜板上的圖形通過一定比例投射到硅片(wafer,也稱晶圓)上,再由曝光、顯影等步驟使硅片上出現與掩膜板圖形相同或等比例縮小的圖形。
一塊硅片通常包含多個曝光單元(shot),每個曝光單元的尺寸均小于或等于掩膜板的最大曝光尺寸。對于量產的芯片,每個曝光單元中包括多個重復的芯片。任何芯片在進入正式量產前,都會制造至少一次樣品以做測試。在制造芯片樣品時,為節約成本,在一個曝光單元中會集成有多個相同或不同種類的芯片,這就帶來了如何排布芯片版圖的問題。工程師所追求的的排布芯片版圖的目標有二點:
其一,希望在一個曝光單元中放置盡可能多的芯片,換而言之,曝光單元中的空閑區域應該越少越好,空閑區域的面積應該越小越好。
其二,這些芯片在制造完成后應該容易從硅片上切割以進行分離。如果能將各個芯片的邊沿盡可能沿著X軸或Y軸對齊成一條直線,顯然對于切割是最為有利的。
由于掩膜板的制造成本也越來越高。因此上述排布芯片版圖的目標不僅能夠節省硅片的數量,對于節省掩膜板的數量也是至關重要的。
目前,工程師一般以畫圖示的方式并結合人工計算來手動排布各個曝光單元中的芯片布局。請參閱圖1,當需要在一塊硅片上放置46個矩形的芯片框架單元時,這是采用手動排布后的示意圖。由于各個芯片框架單元的尺寸并無規律,差異化較大,所以對于復雜的芯片排布要求,往往需要花費很多工作時間,不僅工作效率很低,而且設計過程中的種種錯誤在所難免,最終得到的芯片排布結構也往往離最優方案差距較大。
發明內容
本申請所要解決的技術問題是提供一種在集成電路版圖設計階段自動排布芯片版圖的方法,該方法能夠高效、優質地完成芯片的布局設計。
為解決上述技術問題,本申請自動排布芯片版圖的方法包括如下步驟:
第1步,設定曝光單元的尺寸小于或等于掩模板的最大曝光尺寸;
第2步,將需要排布的各個芯片的最小外接矩形作為該芯片所對應的芯片框架單元,記錄各個芯片框架單元的尺寸;
第3步,記錄各個芯片框架單元在X軸上、Y軸上排布的間距要求;
第4步,指定各個芯片框架單元的排布順序;
第5步,沿著X軸或Y軸按照指定的排布順序和間距要求依次放置各個芯片框架單元,當所放置的芯片框架單元超出了用于芯片排布的區域的尺寸,則沿著X軸另起一行或沿著Y軸另起一列,無論是否放置完成所有的芯片框架單元,都輸出初始的芯片排布結構;
第6步,采用如下手段之一或任意結合,然后重復第5步,得到修改后的芯片排布結構;
手段一,擴大一個或多個芯片框架單元的尺寸;
手段二,對一個或多個芯片框架單元進行旋轉和/或鏡像變換,并記錄變換方式;
手段三,改變一個或多個芯片框架單元的排布順序;
手段四,將沿著X軸排布改為沿著Y軸排布,或相反。
本申請自動排布芯片版圖的方法不僅大大提高了工作效率,而且有效降低了芯片排布設計時的失誤率,有利于得到空間利用最優、劃片切割最優的芯片排布方案。
附圖說明
圖1是現有的人工方法排布芯片版圖后的示意圖;
圖2a是沿著X軸排布的示意圖;
圖2b是沿著Y軸排布的示意圖;
圖3是對芯片框架單元進行旋轉和/或鏡像變換的八種狀態示意圖;
圖4是二叉樹(局部)及對應的初始的芯片排布結構(布局)的示意圖;
圖5是本申請的自動方法排布芯片版圖后的示意圖;
圖6是本申請自動排布芯片版圖的方法的流程圖。
具體實施方式
仍以圖1所示的在一個曝光單元中放置46個芯片框架單元為例,對本申請的自動排布芯片版圖的方法進行詳細說明。請參閱圖6,其包括如下步驟:
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





