[發明專利]射頻識別標簽芯片自動失諧穩壓電路有效
| 申請號: | 201310652366.2 | 申請日: | 2013-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN103606003A | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 李強;楊曉飛 | 申請(專利權)人: | 上海坤銳電子科技有限公司;沈陽市海洋智能產業有限公司 |
| 主分類號: | G06K19/077 | 分類號: | G06K19/077 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射頻 識別 標簽 芯片 自動 失諧 穩壓 電路 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路。特別是一種射頻識別標簽芯片自動失諧穩壓電路。
背景技術
隨著微電子技術的飛速發展,CMOS工藝已能制造應用于微波波段的芯片,射頻電路能集成到大規模數字電路的芯片上。以CMOS工藝制造的低成本無線系統將會開拓出更為寬廣的應用領域。射頻標簽就是一個前景非常好的應用領域。
當1973年條形碼被推出時,其發明者曾經預言:25年以后,將有一種新的技術來替代條形碼。現在,射頻標簽已經走到人們面前。它不僅僅是條形碼的簡單替換品,更能綜合無線通訊、微電子、互聯網等最新信息技術,對所有社會產品進行從生產、銷售、使用甚至回收處理進行全過程監控管理,極大地提高整個社會的運轉效率。
射頻標簽的工作頻段包括,1:低頻標簽工作頻率在30kHz-300kHz,典型的工作頻率有:125kHz,133kHz。2:高頻標簽工作頻率在3MHz-30MHz,典型的工作頻率為13.56MHz。3:超高頻標簽工作頻率大于400MHz,典型工作頻率為915MHz、2.45GHz、5.8GHz。
一個完整的射頻標簽通常包括:天線1,片外匹配網絡2,整流及電源產生模塊3,接收及發送4,數字基帶模塊及存儲單元5。
發明內容
本發明的目的在于提供一種射頻識別標簽芯片自動失諧穩壓電路,該電路能主動地調節片內匹配網絡參數,穩定所需工作電壓范圍。
本發明的技術解決方案如下:
一種射頻識別標簽芯片自動失諧穩壓電路,包括天線、片外匹配網絡、整流及電源產生模塊、接收和發送模塊、數字基帶控制模塊及存儲單元,其特點在于在所述的片外匹配網絡和所述的整流及電源產生模塊之間增加了自動失諧片內匹配網絡,該自動失諧片內匹配網絡由電壓反饋電路、壓控阻抗變換單元及電壓控制開關第一MOS管構成:
所述的電壓反饋電路,由電阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管構成,所述的電阻的一端接所述的整流及電源產生模塊的電壓輸出端,所述的電阻的另一端接所述的第二MOS管的漏極,第二MOS管的柵極與漏極相連,第三MOS管的柵極與漏極相連,所述的第四MOS管的柵極與漏極相連,所述的第二MOS管的源極接第三MOS管的漏極、第三MOS管的源極接第四MOS管的漏極,第四MOS管的源極接地,所述的第二MOS管的柵極與所述的第一MOS管的柵極相連;
所述的壓控阻抗變換單元由可變電阻和可變電容并聯組成,所述的可變電阻和可變電容的一端接地,另一端接所述的第一MOS管的源極相連;
所述的第一MOS管的漏極經所述的片外匹配網絡接所述的天線。
本發明的技術效果如下:
本發明射頻識別標簽芯片自動失諧穩壓電路能自動檢測整流及電源產生模塊產生的電壓,調整自動失諧片內匹配網絡匹配參數,實現穩定所需工作電壓。
附圖說明
圖1是射頻識別電子標簽芯片的傳統結構
圖2是本發明射頻識別標簽芯片自動失諧穩壓電路結構圖
圖3本發明自動失諧片內匹配網絡6的結構圖
圖4本發明中電壓反饋電路7的結構圖
圖5壓控阻抗變換單元8的結構圖
圖6本發明自動失諧片內匹配網絡6電路具體實施例示意圖
具體實施方式
下面通過實施例進一步說明本發明,但不應以此限制本發明的保護范圍。
先請參閱圖2,由圖可見,本發明射頻識別標簽芯片自動失諧穩壓電路是在現有射頻識別電子標簽芯片的結構圖1增加自動失諧片內匹配網絡6構成的,圖3為本發明自動失諧片內匹配網絡6結構圖,所述的自動失諧片內匹配網絡6由電壓反饋電路7、壓控阻抗變換單元8及電壓控制開關MOS管M1組成。
所述的電壓反饋電路7結構圖如圖4所示,由電阻R1,分壓MOS管M2、M3、M4組成,輸入為整流及電源產生模塊3產生的電源電壓,輸出為輸出控制電壓。
所述的壓控阻抗變換單元8結構圖如圖5所示,由壓控可變電阻R2及壓控可變電容C1通過一定的連接方式組成。
圖6為本發明自動失諧片內匹配網絡6一個實施例的電路圖,在圖6中,電阻R1、M2、M3、M4組成的電壓反饋電路,監測整流及電源產生模塊3生成的電壓并且提供偏置電壓給MOS管M1的柵級,控制壓控阻抗變換單元可變電阻R2、可變電容C1,自動改變R2、C1的阻抗值,第一MOS管M1的漏級接天線端。
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