[發(fā)明專利]校正治具有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310652050.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103700599A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王召波;樸祥秀;張勛澤;朱昊;張卓然;劉飛;張文俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 230011 安*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 校正 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種校正治具。
背景技術(shù)
在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)生產(chǎn)制造過(guò)程中,需要使用磁控濺射設(shè)備(PVD)對(duì)玻璃基板進(jìn)行鍍膜。在6代及以上立式磁控濺射設(shè)備中,該設(shè)備包括一靶材支撐部件,該靶材支撐部件用于支撐靶材和固定防著板(Ground?Shield,簡(jiǎn)稱GS),其中防著板用于防止靶材原子濺射到被鍍物以外的其它位置。
圖1為靶材支撐部件的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖1中靶材支撐基座與中間連桿裝配后的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1和圖2所示:該靶材支撐部件包括:靶材支撐基座1和中間連桿2,靶材支撐基座2上設(shè)置有凹槽101,中間連桿2可緊密固定于置于凹槽101內(nèi),進(jìn)一步地,在凹槽101內(nèi)設(shè)置有第一螺孔102,中間連桿上對(duì)應(yīng)第一螺孔102處射有第二螺孔,通過(guò)不銹鋼螺釘穿過(guò)第一螺孔102和第二螺孔可使得靶材支撐基座1與中間連桿2裝配。
其中,防著板使用的材料為304不銹鋼(0Cr18Ni9),該不銹鋼的化學(xué)成分為,碳(C):≤0.07%、硅(Si):≤1.0%、錳(Mn):≤2.0%、鉻(Cr):17.0%~19.0%、鎳(Ni):8.0%~11.0%、硫(S):≤0.03%、磷(P):≤0.035%;物理特性:拉強(qiáng)度≤620Mpa,屈服強(qiáng)度≤310Mpa,伸長(zhǎng)率≤30%,面積縮減≤40%,密度為7.93g/cm3,304不銹鋼耐高溫方面比較好,能達(dá)到750~800度,有較高的塑性、韌性和機(jī)械強(qiáng)度,且耐腐蝕。
在利用磁控濺射設(shè)備在進(jìn)行鍍膜過(guò)程中,加工腔室內(nèi)為高溫、真空環(huán)境,在持續(xù)高溫的作用下,靶材支撐基座容易產(chǎn)生延展變形,進(jìn)而帶動(dòng)凹槽一起發(fā)生形變。具體地,靶材支撐部件的兩個(gè)端部分別通過(guò)定位螺釘固定在加工腔室中,靶材支撐部件的中間部位用來(lái)支撐靶材和承接防著板,由于靶材支撐部件的中間部位在加工腔室中沒(méi)有支撐點(diǎn),因此該部件在固定受力不均的情況下容易發(fā)生整體形變。
當(dāng)靶材支撐部件發(fā)生形變后,加工腔室內(nèi)的部分等離子體可繞過(guò)防著板濺射到中間連桿和凹槽兩側(cè),對(duì)靶材支撐部件局部產(chǎn)生應(yīng)力,且隨著中間連桿和凹槽兩側(cè)的膜厚的增加,受濺射部位的局部應(yīng)力隨之增加,進(jìn)而使得靶材支撐基座和中間連桿均產(chǎn)生“S”形變。
而靶材支撐基座和中間連桿均產(chǎn)生“S”形變后,會(huì)致使靶材與防著板的間距會(huì)發(fā)生改變,從而使得防著板的局部會(huì)受到等離子體的異常轟擊,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后,防著板上被異常轟擊的位置產(chǎn)生脫落,導(dǎo)致靶材與防著板導(dǎo)通,容易造成加工腔室內(nèi)的異常放電,最終造成產(chǎn)品不良或者電源短路無(wú)法放電,更嚴(yán)重地,則會(huì)燒毀電源、擊穿靶材支撐部件。
為了提高靶材支撐部件使用壽命,穩(wěn)定產(chǎn)品品質(zhì)并降低企業(yè)生產(chǎn)成本,則對(duì)靶材支撐部件需定期進(jìn)行清洗,在清洗過(guò)程中需要將靶材支撐基座和中間連桿分離清洗。在分離后,靶材支撐基座和中間連桿上的局部應(yīng)力會(huì)得到釋放,引起靶材支撐基座和中間連桿發(fā)生形變,進(jìn)而使得靶材支撐基座和中間連桿配合失效。因此,需要對(duì)靶材支撐基座和中間連桿進(jìn)行校正。
傳統(tǒng)矯正方法是使用水平臺(tái)進(jìn)行形變量的測(cè)量,利用專用夾具和液壓平臺(tái)對(duì)其形狀進(jìn)行保持,然后邊測(cè)量邊做出適當(dāng)調(diào)整,最后加熱6~8小時(shí)進(jìn)行去除應(yīng)力,傳統(tǒng)方式只可矯正靶材支撐基座的外形尺寸,但不能對(duì)凹槽形變進(jìn)行矯正,而且傳統(tǒng)的校正方法的矯正時(shí)間持續(xù)較長(zhǎng),工作量大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種校正治具,該校正治具可對(duì)靶材支撐基座的凹槽、外形尺寸以及中間連桿的外形尺寸進(jìn)行校正,且校正時(shí)間較短、工作量小、精確度高。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種校正治具,該校正治具包括:校正架,所述校正架包括:校正基臺(tái)、支撐架和校正頂針,所述校正基臺(tái)水平放置,所述校正基臺(tái)上設(shè)置有限位槽,所述支撐架設(shè)置于所述校正基臺(tái)上,所述校正頂針豎直穿過(guò)所述支撐架,所述校正頂針位于所述限位槽的正上方,所述限位槽用于固定靶材支撐基座或中間連桿,所述校正頂針豎直向下運(yùn)動(dòng)至所述靶材支撐基座的凹槽內(nèi)以對(duì)所述凹槽進(jìn)行校正。
可選地,所述限位槽的一個(gè)側(cè)壁上還設(shè)置有調(diào)節(jié)螺母,所述調(diào)節(jié)螺母配合所述限位槽的另一個(gè)側(cè)壁用于固定所述靶材支撐基座。
可選地,所述支撐架上設(shè)置有通孔,所述通孔的內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋,所述校正頂針的柱身設(shè)置有與所述內(nèi)螺紋對(duì)應(yīng)的外螺紋,所述校正頂針置于所述通孔內(nèi)。
可選地,所述校正基臺(tái)和所述支撐架一體成型。
可選地,所述校正架的數(shù)量為至少兩個(gè),至少一個(gè)所述校正架在水平方向上移動(dòng)以對(duì)所述中間連桿的外形尺寸或所述靶材支撐基座的外形尺寸進(jìn)行校正。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





