[發明專利]一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201310651418.4 | 申請日: | 2013-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN103700769A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 袁寧一;董旭;丁建寧;胡宏偉 | 申請(專利權)人: | 常州大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 213164 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 無機 雜化鈣鈦礦 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池,所述太陽能電池從下至上依次為FTO導電玻璃層、n型層、雜化鈣鈦礦結構層、spiro-OMeTAD有機p型層和金屬電極,其特征在于:所述雜化鈣鈦礦結構層為疊層結構,從下至上依次為CH3NH3I?·?PbCl2?/CH3NH3I?·?PbBr2/?CH3NH3I?·?PbI2、CH3NH3I?·?PbCl2?/?CH3NH3I?·?PbI2、CH3NH3I?·?PbCl2?/?CH3NH3I?·?PbBr2或CH3NH3I?·?PbBr2/?CH3NH3I?·?PbI2。
2.如權利要求1所述的一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于:所述的n型層為致密氧化鈦層,層厚為20-30nm。
3.如權利要求1所述的一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于:所述的FTO導電玻璃層的方塊電阻是10-15Ω,透過率在78-85%。
4.如權利要求1所述的一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于:所述的雜化鈣鈦礦結構層的層厚為300-400nm,各層厚度在100-150?nm。
5.如權利要求1所述的一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于:所述spiro-OMeTAD有機p型層的層厚為100-150nm。
6.如權利要求1所述的一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于:所述金屬電極為Au電極或Ag電極,層厚為100-120nm。
7.如權利要求1所述的一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,包括在FTO導電玻璃先沉積n型層的步驟,然后再在n型層上制備雜化鈣鈦礦結構層的步驟,接著在雜化鈣鈦礦結構層上旋涂spiro-OMeTAD有機p型層的步驟,最后在p型層上沉積金屬電極層的步驟;其特征在于:采用兩步浸漬法制備雜化鈣鈦礦結構層,雜化鈣鈦礦結構層為疊層結構,從下至上依次為CH3NH3I?·?PbCl2?/CH3NH3I?·?PbBr2/?CH3NH3I?·?PbI2、CH3NH3I?·?PbCl2?/?CH3NH3I?·?PbI2、CH3NH3I?·?PbCl2?/?CH3NH3I?·?PbBr2或CH3NH3I?·?PbBr2/?CH3NH3I?·?PbI2。
8.如權利要求7所述的一種有機/無機雜化鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于所述的步浸漬法制備雜化鈣鈦礦結構層指:先是在致密TiO2層上用真空蒸發依次沉積PbCl2、PbBr2與PbI2層、PbBr2與PbI2層、PbCl2與PbBr2層或PbCl2與PbI2層、在手套箱中,70℃下加熱10min,再緩慢平穩的浸入事先先配好的CH3NH3I溶液,反應30min,取出后放到干凈的異丙醇溶液中洗滌;最后放到70min環境中烘20min;CH3NH3I溶液濃度為10mg/ml。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





