[發明專利]一種基于神經元MOS管的差分型雙邊沿觸發器設計有效
| 申請號： | 201310648953.4 | 申請日： | 2013-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN103716014A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 杭國強;胡曉慧;楊旸;章丹艷;周選昌;尤肖虎 | 申請（專利權）人： | 浙江大學城市學院 |
| 主分類號： | H03K3/012 | 分類號： | H03K3/012;H03K3/02 |
| 代理公司： | 杭州九洲專利事務所有限公司 33101 | 代理人： | 張羽振 |
| 地址： | 310015*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 神經元 mos 差分型 雙邊 觸發器 設計 | ||
1.一種基于神經元MOS管的差分型雙邊沿觸發器設計，其特征在于：包括差分結構的主觸發器1、主觸發器2和一個差分結構的從觸發器；所述主觸發器1由構成差分結構的PMOS管m3和PMOS管m4，三輸入n型浮柵MOS管m1和三輸入n型浮柵MOS管m2構成；所述主觸發器2由構成差分結構的PMOS管m7和PMOS管m8，三輸入n型浮柵MOS管m5和三輸入n型浮柵MOS管m6構成；所述從觸發器由構成差分結構的PMOS管m9和PMOS管m10，三輸入n型浮柵MOS管m11，三輸入n型浮柵MOS管m12，三輸入n型浮柵MOS管m13和三輸入n型浮柵MOS管m14，反相器INV1和反相器INV2構成；
所述PMOS管m3、m4、m7、m8、m9和m10的源級接工作電壓VDD，所述三輸入n型浮柵MOS管m1、m2、m5、m6的源級和一個輸入端都接地，所述三輸入n型浮柵MOS管m11、m12、m13、m14的源級接地；
所述主觸發器1中構成差分結構的兩個PMOS管m3和m4的漏極分別與兩個三輸入n型浮柵MOS管m1和m2的漏極連接，并且產生主觸發器1的輸出和x1；所述主觸發器2中構成差分結構的兩個PMOS管m7和m8的漏極分別與兩個三輸入n型浮柵MOS管m5和m6的漏極連接，并且產生主觸發器2的輸出和x2；
所述主觸發器1的輸出x1和分別連接從觸發器中的三輸入n型浮柵MOS管m11和m14的一個輸入端，所述主觸發器2的輸出x2和分別連接從觸發器中的三輸入n型浮柵MOS管m12和m13的一個輸入端；
所述從觸發器中構成差分結構的兩個PMOS管m9和m10的漏極分別與兩個三輸入n型浮柵MOS管m11和m12、m13和m14的漏極連接，并通過兩個反相器INV1和INV2連接到輸出端；
在clk上升沿時，所述主觸發器1的輸出x1和通過m11和m14傳輸到輸出，所述主觸發器2的輸出x2和受輸入D決定；在clk下降沿時，所述主觸發器2的輸出x2和通過m12和m13傳輸到輸出，所述主觸發器1的輸出x1和受輸入D決定。S和R分別實現觸發器的異步置位和異步清零功能。
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