[發(fā)明專利]一種基于神經(jīng)元MOS管的差分型雙邊沿觸發(fā)器設(shè)計(jì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310648953.4
• 申請(qǐng)日: 2013-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103716014A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杭國(guó)強(qiáng);胡曉慧;楊旸;章丹艷;周選昌;尤肖虎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)城市學(xué)院
• 主分類(lèi)號(hào): H03K3/012
• 分類(lèi)號(hào): H03K3/012;H03K3/02
• 代理公司: 杭州九洲專利事務(wù)所有限公司 33101
• 代理人: 張羽振

1.一種基于神經(jīng)元MOS管的差分型雙邊沿觸發(fā)器設(shè)計(jì)，其特征在于：包括差分結(jié)構(gòu)的主觸發(fā)器1、主觸發(fā)器2和一個(gè)差分結(jié)構(gòu)的從觸發(fā)器；所述主觸發(fā)器1由構(gòu)成差分結(jié)構(gòu)的PMOS管m3和PMOS管m4，三輸入n型浮柵MOS管m1和三輸入n型浮柵MOS管m2構(gòu)成；所述主觸發(fā)器2由構(gòu)成差分結(jié)構(gòu)的PMOS管m7和PMOS管m8，三輸入n型浮柵MOS管m5和三輸入n型浮柵MOS管m6構(gòu)成；所述從觸發(fā)器由構(gòu)成差分結(jié)構(gòu)的PMOS管m9和PMOS管m10，三輸入n型浮柵MOS管m11，三輸入n型浮柵MOS管m12，三輸入n型浮柵MOS管m13和三輸入n型浮柵MOS管m14，反相器INV1和反相器INV2構(gòu)成；

所述PMOS管m3、m4、m7、m8、m9和m10的源級(jí)接工作電壓VDD，所述三輸入n型浮柵MOS管m1、m2、m5、m6的源級(jí)和一個(gè)輸入端都接地，所述三輸入n型浮柵MOS管m11、m12、m13、m14的源級(jí)接地；

所述主觸發(fā)器1中構(gòu)成差分結(jié)構(gòu)的兩個(gè)PMOS管m3和m4的漏極分別與兩個(gè)三輸入n型浮柵MOS管m1和m2的漏極連接，并且產(chǎn)生主觸發(fā)器1的輸出和x1；所述主觸發(fā)器2中構(gòu)成差分結(jié)構(gòu)的兩個(gè)PMOS管m7和m8的漏極分別與兩個(gè)三輸入n型浮柵MOS管m5和m6的漏極連接，并且產(chǎn)生主觸發(fā)器2的輸出和x2；

所述主觸發(fā)器1的輸出x1和分別連接從觸發(fā)器中的三輸入n型浮柵MOS管m11和m14的一個(gè)輸入端，所述主觸發(fā)器2的輸出x2和分別連接從觸發(fā)器中的三輸入n型浮柵MOS管m12和m13的一個(gè)輸入端；

所述從觸發(fā)器中構(gòu)成差分結(jié)構(gòu)的兩個(gè)PMOS管m9和m10的漏極分別與兩個(gè)三輸入n型浮柵MOS管m11和m12、m13和m14的漏極連接，并通過(guò)兩個(gè)反相器INV1和INV2連接到輸出端；

在clk上升沿時(shí)，所述主觸發(fā)器1的輸出x1和通過(guò)m11和m14傳輸?shù)捷敵?，所述主觸發(fā)器2的輸出x2和受輸入D決定；在clk下降沿時(shí)，所述主觸發(fā)器2的輸出x2和通過(guò)m12和m13傳輸?shù)捷敵觯鲋饔|發(fā)器1的輸出x1和受輸入D決定。S和R分別實(shí)現(xiàn)觸發(fā)器的異步置位和異步清零功能。