[發明專利]一種IGBT模塊結構無效
| 申請號： | 201310648950.0 | 申請日： | 2013-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN103633035A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發明（設計）人： | 曹琳 | 申請（專利權）人： | 西安永電電氣有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/13 | 分類號： | H01L23/13;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐靈;常亮 |
| 地址： | 710016 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 igbt 模塊 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種IGBT模塊結構，包括AlSiC基板，位于該AlSiC基板上的敷銅層，位于該敷銅層上的AlN絕緣陶瓷層，位于該AlN絕緣陶瓷層上的金屬焊墊，以及位于該金屬焊墊上的芯片，其特征在于：所述AlN絕緣陶瓷層和AlSiC基板之間設有空腔，所述空腔位于芯片的下方。
2.如權利要求1所述的IGBT模塊結構，其特征在于：所述空腔的頂部被所述AlN絕緣陶瓷層覆蓋，所述空腔的底部位于部分AlSiC基板中。
3.如權利要求1所述的IGBT模塊結構，其特征在于：所述空腔的深度為0.5mm-2.5mm。
4.如權利要求1所述的IGBT模塊結構，其特征在于：所述空腔的面積至少超過所述芯片的面積，且所述芯片全部落入空腔對應的面積內。
5.如權利要求4所述的IGBT模塊結構，其特征在于：所述空腔的面積大于所述金屬焊墊的面積，且該空腔的邊界寬度與所述金屬焊墊的邊界寬度之差在1mm-2.3mm之間。
6.如權利要求1所述的IGBT模塊結構，其特征在于：所述IGBT模塊的芯片數量大于1，所述空腔位于所有芯片的下方。
7.如權利要求1所述的IGBT模塊結構，其特征在于：所述IGBT模塊的芯片數量大于1，所述每個芯片的下方都對應設有一個空腔。
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