[發明專利]一種離散量的高壓端口處理方法和電路無效
| 申請號: | 201310647714.7 | 申請日: | 2013-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN103856201A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 田澤;邵剛;李世杰;蔡葉芳;郎靜;楊峰;郭蒙;王泉 | 申請(專利權)人: | 中國航空工業集團公司第六三一研究所 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人: | 楊引雪 |
| 地址: | 710119 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 離散 高壓 端口 處理 方法 電路 | ||
技術領域
本發明屬于為電子電路設計技術,尤其涉及一種離散量的高壓端口處理方法和電路。?
背景技術
離散量信號進入芯片后,均需要端口處理,一般均采用電阻分壓的方式,將高壓的離散量按比例降低,降低至芯片器件可承受電壓范圍內,該種方法對離散量電壓確定很有作用。但是當離散量信號表現為開路時,其在端口的表現特性隨外部電路不同而不同,為后級處理帶來不變。而且通用離散量信號最高位28V,許多芯片在此電壓基礎上進行設計,而根據實際工作中確實存在50V的現在,芯片端口耐壓能力受到挑戰。?
發明內容
本發明提供一種離散量的高壓端口處理方法和電路,該電路通過耐高壓器件實現端口的耐高壓、開路識別、以及端口對電源有效隔離。?
本發明的具體技術解決方案是:?
一種離散量的高壓端口處理方法,其特征在于,包括以下步驟:?
1]當離散量信號正常輸出時,對離散量的高壓端口輸出的高壓信號進行分壓處理,經分壓后輸出的離散量信號應小于電源所能承受的最大負載;當離散量信號為開路時,進入步驟2處理;?
2]將離散量信號直接與電源隔離。?
上述離散量信號與電源通過采用內部反偏二極管的耐壓模塊隔離。?
一種離散量的高壓端口處理電路,包括分壓模塊,其特征在于:還包括耐壓模塊,所述耐壓模塊一端與電源連接,另一端與分壓模塊一端連接,分壓模塊另一端接地,離散量高壓端口通過耐壓模塊與電源連接。?
上述耐壓模塊包括反偏二極管,用于在離散量開路時提供偏置電流,使端口有固定電平。?
上述耐壓模塊內接可耐壓50V的二極管,二極管P極接至電源VDD端,?二極管N極接至輸出端口。?
本發明的優點如下:?
本發明提供的離散量的高壓端口處理方法和電路,通過耐高壓器件將端口電位上拉的方法,解決了離散量開路電平不易識別的技術問題,實現了離散量開路電平可識別、端口與電源隔離和端口耐高壓。?
本發明通過耐高壓器件實現端口的耐高壓、開路識別、以及端口對電源有效隔離,從而可抗離散量的浪涌現象,可廣泛應用于有離散量轉換的系統中。?
附圖說明
圖1是本發明的離散量的高壓端口處理電路的結構框圖。?
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例,對本發明的技術方案進行清楚、完整地表述。顯然,所表述的實施例僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例,基于本發明中的實施例,本領域技術人員在沒有做出創造性勞動前提所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明的保護范圍。?
本發明所依據的原理如下:?
首先,選擇工藝;選擇可耐高壓的工藝,耐壓至少為50V的器件,例如電阻、電容和金屬氧化物場效晶體管。?
其次,設置分壓模塊分壓比;根據芯片所使用的器件耐壓值選擇分壓模塊分壓比,將離散量信號按比例分壓為低電平;?
具體為,根據芯片所使用的器件耐壓值選擇分壓模塊分壓比,將離散量信號按比例分壓為低電平,符合芯片內部工作電路的要求;分壓模塊內的器件需可承受高壓。實際中,參照芯片內部電路所需的正常工作電壓范圍和離散量最高50V電壓標準設計分壓比,使離散量為最高電壓時,芯片內部電路也可正常工作。?
再次,選擇耐壓模塊耐壓器件,耐壓模塊采用了內部上拉電阻的方式,所述耐壓器件將離散量與電源隔離。?
實際應用中,普通芯片的供電電壓遠遠低于離散量的最大電壓,在此應?該選擇合適器件將離散量與電源隔離,耐壓模塊采用了反偏二極管的方式,當離散量為開路時,可由耐壓模塊中反偏二極管、分壓模塊和外圍電路三者的分壓決定端口電壓。當離散量為固定電平,尤其是為高壓電平時,由于其電壓遠遠高于電源電壓VDD,此時由于二極管反偏,且其耐壓至為50V,則保證了高壓時端口與電源的隔離。?
本發明提供的離散量的高壓端口處理方法,由于采用了反偏二極管的方式,通過耐高壓器件將端口電位上拉的方法,解決了離散量開路電平不易識別的技術問題,實現了離散量開路電平可識別、端口與電源隔離和端口耐高壓。本發明的離散量的高壓端口處理方法,通過耐高壓器件實現端口的耐高壓、開路識別、以及端口對電源有效隔離,從而可抗離散量的浪涌現象,可廣泛應用于有離散量轉換的系統中。?
優選地,所述步驟1為,選擇芯片工藝,所述工藝可提供滿足離散量最大電壓要求的電阻、電容和金屬氧化物場效晶體管。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國航空工業集團公司第六三一研究所,未經中國航空工業集團公司第六三一研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310647714.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





