[發明專利]一種淺溝槽的形成方法

有效

• 申請號: 201310647706.2
• 申請日: 2013-12-04
• 公開（公告）號: CN104701235B
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 張海洋;王冬江
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種淺溝槽的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底表面從下往上依次形成有N層膜層，N為正整數；

形成具有第一開口的光刻膠層，所述第一開口與后續形成的淺溝槽對應；

從上至下依次分步刻蝕相應膜層，直至在半導體襯底中形成淺溝槽，其中每步刻蝕前均將晶圓水平旋轉預定角度；

其中，每步刻蝕前旋轉的預定角度總和等于最大不對稱度。

2.根據權利要求1所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，在形成淺溝槽之前，還包括步驟：

提供控片；

在控片上從下往上依次形成有N層膜層；

從上至下依次分步刻蝕相應膜層，直至在半導體襯底中形成淺溝槽；

通過測量確定不同位置淺溝槽之間最大不對稱度。

3.根據權利要求2所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述每步刻蝕前旋轉的預定角度相同或不同。

4.根據權利要求3所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，當所述每步刻蝕前旋轉的預定角度相同時，預定角度等于最大不對稱度除以刻蝕步驟數。

5.根據權利要求3所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述每步刻蝕前旋轉的預定角度不同。

6.根據權利要求2所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述最大不對稱度范圍為1°～360°。

7.根據權利要求1所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述水平旋轉為水平順時針旋轉或水平逆時針旋轉。

8.根據權利要求1或2所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述N層膜層為兩層膜層，分為位于半導體襯底表面的墊氧化層和位于墊氧化層上的腐蝕阻擋層。

9.根據權利要求1或2所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述N層膜層為三層膜層，分為位于半導體襯底表面的墊氧化層、位于墊氧化層上的腐蝕阻擋層和位于腐蝕阻擋層上的無定形碳層。

10.根據權利要求1或2所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述N層膜層為四層膜層，分為位于半導體襯底表面的墊氧化層、位于墊氧化層上的腐蝕阻擋層、位于腐蝕阻擋層上的無定形碳層和位于無定形碳層上的底部抗反射層。

11.一種淺溝槽的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底表面從下往上依次形成有N層膜層，N為正整數；

形成具有第一開口的光刻膠層，所述第一開口與后續形成的淺溝槽對應；

從上至下依次分步刻蝕相應膜層，直至在半導體襯底中形成淺溝槽，在任一步刻蝕前將晶圓水平旋轉與最大不對稱度匹配的角度。

12.根據權利要求11所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，在形成淺溝槽之前，還包括步驟：

提供控片；

在控片上從下往上依次形成有N層膜層；

從上至下依次分步刻蝕相應膜層，直至在半導體襯底中形成淺溝槽；

通過測量確定不同位置淺溝槽之間最大不對稱度。

13.根據權利要求12所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述最大不對稱度范圍為1°～360°。

14.根據權利要求11所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述水平旋轉為水平順時針旋轉或水平逆時針旋轉。

15.根據權利要求11或12所述的淺溝槽的形成方法，其特征在于，所述N層膜層為兩層膜層，分為位于半導體襯底表面的墊氧化層和位于墊氧化層上的腐蝕阻擋層。