[發明專利]多層同質生長鐵酸鉍薄膜材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201310646917.4
• 申請日: 2013-12-04
• 公開（公告）號: CN103668060A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 嚴胡睿;周文亮;楊平雄;褚君浩
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58
• 代理公司: 上海麥其知識產權代理事務所(普通合伙) 31257
• 代理人: 董紅曼

1.多層同質生長鐵酸鉍薄膜材料，其特征在于，包括底電極和鐵酸鉍薄膜，所述底電極是鎳酸鑭薄膜，所述鐵酸鉍薄膜濺射生長在所述底電極上。

2.如權利要求1所述的多層同質生長鐵酸鉍薄膜材料，其特征在于，平均晶粒尺寸小、缺陷濃度低、空洞平均尺寸低、表面粗糙度低。

3.權利要求1中所述多層同質生長鐵酸鉍薄膜材料的制備方法，其特征在于，利用磁控濺射法在硅基片上制備所述底電極，采用固相法制備鐵酸鉍薄膜；在底電極上濺射一層所述鐵酸鉍薄膜，然后720℃下快速退火4分鐘，重復以上濺射過程6-8次；最后慢退火處理，得到所述多層同質生長鐵酸鉍薄膜材料BiFeO₃/LaNiO₃/Si。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述慢退火溫度為800℃，退火時間1h。

5.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述濺射在室溫下進行。

6.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述底電極的制備過程是：采用磁控濺射法在常溫下制備鎳酸鑭薄膜，在退火爐中進行退火，得到鎳酸鑭薄膜電極材料，即所述底電極。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述底電極的制備條件為：慢退火溫度650℃、濺射室壓強2.4pa、濺射功率80W、濺射時間40分鐘、通氬氣和氧氣比為20∶0。

8.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述鐵酸鉍薄膜的制備過程是：采用固相法以Bi₂O₃和Fe₂O₃經過球磨、研磨，烘干、壓制成靶，經高溫燒結得到靶材，即所述鐵酸鉍薄膜。