[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310646732.3
• 申請(qǐng)日: 2011-05-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103633148B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村勝光
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/861
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其中包括：

半導(dǎo)體襯底，具有互相對(duì)置的第一主表面及第二主表面，且具有互相相鄰的二極管有源區(qū)域和邊緣端接區(qū)域；

第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域，在所述二極管有源區(qū)域中形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域，形成在所述半導(dǎo)體襯底的所述第一主表面，以在所述二極管有源區(qū)域中與所述第一區(qū)域一起構(gòu)成二極管；

第一導(dǎo)電型的第三區(qū)域，在所述邊緣端接區(qū)域中形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；以及

第二導(dǎo)電型的第四區(qū)域，在所述邊緣端接區(qū)域中形成在所述半導(dǎo)體襯底的所述第一主表面，

所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域共有與所述第四區(qū)域構(gòu)成pn結(jié)的第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)域，

所述第一區(qū)域具有第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的濃度高于所述漂移區(qū)域的第五區(qū)域，而且具有

第二導(dǎo)電型的第一逆導(dǎo)電型區(qū)域，在所述二極管有源區(qū)域的所述第二主表面中以與所述第五區(qū)域相鄰的方式形成，和

第二導(dǎo)電型的第二逆導(dǎo)電型區(qū)域，形成在所述邊緣端接區(qū)域的所述第二主表面，

所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域共有第一導(dǎo)電型的第六區(qū)域，該第一導(dǎo)電型的第六區(qū)域的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的濃度低于所述第五區(qū)域，且高于所述漂移區(qū)域，

所述第六區(qū)域在所述二極管有源區(qū)域中位于所述第五區(qū)域及所述第一逆導(dǎo)電型區(qū)域與所述漂移區(qū)域之間，且在所述邊緣端接區(qū)域中位于所述第二逆導(dǎo)電型區(qū)域與所述漂移區(qū)域之間，

在所述二極管有源區(qū)域，所述第五區(qū)域與所述第一逆導(dǎo)電型區(qū)域在平面圖中以相鄰的方式交互排列，

通過(guò)與所述第五區(qū)域交互排列的所述第一逆導(dǎo)電型區(qū)域的一部分延伸至所述邊緣端接區(qū)域，從而配置所述第二逆導(dǎo)電型區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一逆導(dǎo)電型區(qū)域的面積相對(duì)于所述第二主表面中的所述二極管有源區(qū)域的總面積所占的比例為20％以上95％以下。