[發明專利]電阻式存儲器件和其操作方法有效
| 申請號: | 201310646378.4 | 申請日: | 2013-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN104123960B | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發明(設計)人: | 樸海贊;金明燮;李世昊;李承潤 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C13/00 | 分類號: | G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 存儲 器件 操作方法 | ||
1.一種電阻式存儲器件,包括:
存儲器單元陣列,其包括耦接于字線與位線之間的單位存儲器單元,其中所述單位存儲器單元包括串聯耦接的數據儲存材料和基于非硅襯底型雙向存取器件;
路徑設定電路,其耦接于所述位線與所述字線之間,適用于基于路徑控制信號、正向編程命令以及反向編程命令而向所述位線或所述字線提供編程脈沖;以及
控制單元,其適用于基于外部命令信號而提供寫入路徑控制信號、正向編程命令以及反向編程命令,
其中所述正向編程命令和所述反向編程命令是互補信號,所述互補信號基于編程的數量而產生。
2.如權利要求1所述的電阻式存儲器件,其中所述單位存儲器單元包括數據儲存材料,所述數據儲存材料耦接至第一互連件;基于非硅襯底型雙向存取器件,其一個端子連接至所述數據儲存材料;以及第二互連件,其連接至所述基于非硅襯底型雙向存取器件的另一端子。
3.如權利要求1所述的電阻式存儲器件,其中所述路徑設定電路包括:
第一路徑設定單元,其連接于所述位線與用于提供所述編程脈沖的端子之間,并且適用于基于所述路徑控制信號和所述正向編程命令而傳輸所述編程脈沖至所述位線之側;以及
第二路徑設定單元,其連接于所述字線與用于提供所述編程脈沖的端子之間,并且適用于基于所述路徑控制信號和所述反向編程命令而傳輸所述編程脈沖至所述字線之側。
4.如權利要求3所述的電阻式存儲器件,其中所述第一路徑設定單元包括:
第一開關,其適用于接收所述路徑控制信號并基于所述正向編程命令而被驅動;以及
第一驅動器,其耦接于用于提供接地電壓的端子與用于提供所述編程脈沖的端子之間,并且適用于基于所述第一開關的輸出信號而以所述接地電壓或所述編程脈沖驅動所述位線。
5.如權利要求3所述的電阻式存儲器件,其中所述第二路徑設定單元包括:
第二開關,其適用于接收所述路徑控制信號并基于所述反向編程命令而被驅動;以及
第二驅動器,其耦接于用于提供接地電壓的端子與用于提供所述編程脈沖的端子之間,并適用于基于所述第二開關的輸出信號而以所述接地電壓或所述編程脈沖PGM_pulse驅動所述字線WL。
6.一種數據處理系統,包括:
電阻式存儲器件,其包括:存儲器單元陣列;控制單元,其適用于控制所述存儲器單元陣列的操作;及路徑設定電路,其適用于提供編程脈沖至所述存儲器單元陣列;以及
存儲器控制器,其適用于響應于主機的請求而存取所述電阻式存儲器件,
其中所述存儲器單元陣列包括單位存儲器單元,所述單位存儲器單元連接于字線與位線之間、且包括數據儲存材料和基于非硅襯底型雙向存取器件,以及
其中所述路徑設定電路耦接于所述位線與所述字線之間,并且適用于基于從所述控制單元提供的路徑控制信號、正向編程命令和反向編程命令而提供所述編程脈沖至所述位線或所述字線,
其中所述正向編程命令和所述反向編程命令是互補信號,所述互補信號基于編程的數量而產生。
7.一種數據處理系統,包括:
處理器;
操作存儲器,其適用于儲存應用、數據和用于所述處理器的操作所需的控制信號;
電阻式存儲器件,其包括存儲器單元陣列,所述存儲器單元陣列具有多個單位存儲器單元,所述單位存儲器單元被所述處理器存取并連接于位線與字線之間;控制單元,其適用于控制所述存儲器單元陣列的操作;及路徑設定電路,其適用于提供編程脈沖至所述存儲器單元陣列;以及
用戶接口,其適用于在所述處理器與用戶之間執行數據輸入和輸出,
其中所述存儲器單元陣列包括單位存儲器單元,所述單位存儲器單元連接于字線與位線之間、且包括數據儲存材料和基于非硅襯底型雙向存取器件,
其中所述路徑設定電路連接于所述位線與所述字線之間,且適用于基于從所述控制單元提供的路徑控制信號、正向編程命令和反向編程命令而提供所述編程脈沖至所述位線或所述字線,
其中所述正向編程命令和所述反向編程命令是互補信號,所述互補信號基于編程的數量而產生。
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