[發(fā)明專利]具有熔絲圖案的半導體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310646036.2 | 申請日： | 2013-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN103855133B | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙文祺;安殷徹;金相榮;辛周源;李旼鎬 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/62 | 分類號： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人： | 陳源,張帆 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 圖案 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，包括：
襯底；
熔絲，所述熔絲包括第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開，使得所述熔絲中的間隙位于所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的第一位置；以及
第一絕緣層，所述第一絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上，并且所述第一絕緣層包括開口，所述開口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一寬度的第二寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述開口不與所述第一熔絲圖案或所述第二熔絲圖案重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案彼此電絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體器件，還包括空氣間隙，所述空氣間隙形成在所述第一熔絲圖案與所述絕緣材料之間，并且/或者形成在所述第二熔絲圖案與所述絕緣材料之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體器件，其中，所述空氣間隙包括第一空氣間隙和第二空氣間隙，所述第一空氣間隙形成在所述第一熔絲圖案與所述絕緣材料之間，所述第二空氣間隙形成在所述第二熔絲圖案與所述絕緣材料之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案下方的第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層包括與所述開口重疊的溝槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的導電顆粒。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體器件，還包括空氣間隙，所述空氣間隙形成在所述第一熔絲圖案與所述導電顆粒之間，并且形成在所述第二熔絲圖案與所述導電顆粒之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體器件，其中，所述導電顆粒包括所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案所含有的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案與所述開口之間的第一隔片。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體器件，還包括形成在所述第二熔絲圖案與所述開口之間的第二隔片，其中，在所述第一隔片與所述第一熔絲圖案之間形成第一空氣間隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，還包括形成在所述第二隔片與所述第二熔絲圖案之間的第二空氣間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，在所述開口的正上方不形成導電圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括分別形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案下方的第一金屬配線和第二金屬配線，所述第一金屬配線通過第一通路與所述第一熔絲圖案電連接，所述第二金屬配線通過第二通路與所述第二熔絲圖案電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括與所述第一熔絲圖案電連接的第一金屬配線、和與所述第二熔絲圖案電連接的第二金屬配線，其中，所述第一熔絲圖案、所述第二熔絲圖案、所述第一金屬配線和所述第二金屬配線以相等的距離與所述襯底間隔開。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括分別形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案下方的第一電路圖案和第二電路圖案，所述第一熔絲圖案與所述第一電路圖案電連接，所述第二熔絲圖案與所述第二電路圖案電連接。
18.一種半導體器件，包括：
襯底；
第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開；
第一絕緣層，所述第一絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上，并且所述第一絕緣層包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的開口；
絕緣材料，所述絕緣材料形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間；以及
空氣間隙，所述空氣間隙至少形成在所述第一熔絲圖案與所述絕緣材料之間。
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