[發明專利]一種具有尖晶石結構的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201310645898.3 | 申請日： | 2013-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103691647A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 陳若愚;何夢瑤;王紅寧;劉小華 | 申請（專利權）人： | 常州大學 |
| 主分類號： | B05D5/00 | 分類號： | B05D5/00;B05D3/02;C09D1/00;C09D5/32 |
| 代理公司： | 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王美華;任曉嵐 |
| 地址： | 213164 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 尖晶石 結構 太陽能 選擇 吸收 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種具有尖晶石結構的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所述的制備方法為，以銅、鈷、錳的金屬鹽為溶膠前驅體，醇為溶劑，羥基羧酸為絡合劑，聚乙二醇為分散劑，纖維素為成膜劑，制備溶膠；將制備的溶膠在基底上提拉鍍膜，固化、熱處理。
2.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所述的銅、錳、鈷3種金屬離子的摩爾比為3:3:1；金屬鹽選自硝酸鹽、氯化鹽、醋酸鹽或三者中的任意組合。
3.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所述絡合劑羥基羧酸為檸檬酸或酒石酸。
4.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所述的銅、錳、鈷的金屬鹽中的金屬離子，在溶劑中的摩爾總濃度為0.30～0.40mol/L。
5.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所述的銅、錳、鈷的金屬鹽中的金屬離子總和，與羥基羧酸的摩爾比為1:1.0～1.5。
6.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所述的分散劑聚乙二醇為聚乙二醇200，與羥基羧酸按摩爾比0.8～1.2進行分散。
7.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：將制備的溶膠在基底上提拉鍍膜時，提拉鍍制一層薄膜即可。
8.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所述的基底為具有紅外反射特性的金屬基底，選自高拋光的不銹鋼片或鋁片。
9.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所制備的吸收層厚度為450～500nm。
10.如權利要求1所述的太陽能選擇吸收薄膜的制備方法，其特征在于：所述成膜劑纖維素為羥丙基纖維素或乙基纖維素。
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