[發(fā)明專利]基于一維鎘摻雜氧化鋅納米線的電壓控制存儲(chǔ)器及制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310645667.2 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103840080A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 程抱昌;許劍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南昌大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 國(guó)省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 一維鎘 摻雜 氧化鋅 納米 電壓 控制 存儲(chǔ)器 制備 方法 | ||
1.基于一維鎘摻雜氧化鋅納米線的電壓控制存儲(chǔ)器，其特征是由單根一維鎘摻雜氧化鋅納米線、金屬電極、載玻片、封裝層、導(dǎo)線組成；單根一維鎘摻雜氧化鋅納米線放置在載玻片上，其兩端焊接金屬電極并接上導(dǎo)線，封裝層將整個(gè)單根一維鎘摻雜氧化鋅納米線封裝在載玻片上；
所述的封裝層的封裝材料是聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷；
所述的一維鎘摻雜氧化鋅納米線的制備方法是：按Zn:Cd元素的摩爾比為19:1的比例，將六水合硝酸鋅和四水合硝酸化鎘放入水中溶解，然后再加入30ml-60ml的三乙醇胺，超聲震蕩十分鐘，達(dá)到完全互溶后，放入130℃的烘箱中保溫6-7個(gè)小時(shí)，使其水分蒸發(fā)干，然后放入預(yù)先設(shè)置好溫度為120℃烘箱中進(jìn)行燃燒，燃燒結(jié)束后，把該樣品放入800℃馬弗爐中進(jìn)行退火處理，以除去樣品表面的碳包裹物得到納米線。
2.權(quán)利要求1所述的電壓控制存儲(chǔ)器的制備方法，其特征是取單根一維鎘摻雜氧化鋅納米線，放置在潔凈的載玻片上，在一維鎘摻雜氧化鋅納米線兩端焊接金屬電極，在金屬電極上焊接金屬導(dǎo)線，用封裝材料將金屬電極和一維鎘摻雜氧化鋅納米線固定在載玻片上，然后放入在30℃恒溫箱中，保溫8小時(shí)。
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