[發(fā)明專利]一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結(jié)構(gòu)及工藝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310645357.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103681583A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁志忠;梁新夫;王亞琴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/495 | 分類號(hào): | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務(wù)所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一次 先蝕后 鍍金 減法 芯片 正裝平腳 結(jié)構(gòu) 工藝 方法 | ||
1.一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結(jié)構(gòu)的工藝方法,所述方法包括如下步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、貼光阻膜作業(yè)
在金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜;
步驟三、金屬基板表面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板表面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜;
步驟四、化學(xué)蝕刻
在步驟三中金屬基板表面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行化學(xué)蝕刻;
步驟五、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟六、貼光阻膜作業(yè)
在金屬基板的表面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜;
步驟七、金屬基板背面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形;
步驟八、電鍍金屬線路層
在步驟七的金屬基板背面進(jìn)行金屬線路層的電鍍工作,金屬線路層電鍍完成后即依據(jù)圖形在金屬基板上形成相應(yīng)的基島和引腳;
步驟九、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟十、裝片
在步驟八的基島正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)植入芯片;
步驟十一、金屬線鍵合
在芯片正面與引腳背面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè);
步驟十二、包封
對(duì)步驟十一的金屬基板內(nèi)部采用塑封料進(jìn)行塑封,塑封料與金屬基板的正面和背面均齊平;
步驟十三、電鍍抗氧化金屬層或是被覆抗氧化劑(OSP)
在完成步驟十二后的金屬基板表面裸露在外的金屬進(jìn)行電鍍抗氧化金屬層(OSP)。
2.由權(quán)利要求1所制得的一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結(jié)構(gòu),其特征在于它包括金屬基板框(1),在所述金屬基板框(1)內(nèi)部設(shè)置有基島(2)和引腳(3),所述引腳(3)呈臺(tái)階狀,所述基島(2)和引腳(3)的正面與金屬基板框(1)正面齊平,所述引腳3的背面與金屬基板框(1)的背面齊平,所述基島(2)背面與引腳(3)的臺(tái)階面齊平,所述引腳(3)的臺(tái)階面上設(shè)置有金屬層(9),所述基島(2)的背面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(4)設(shè)置有芯片(5),所述芯片(5)的正面與引腳(3)的臺(tái)階面上金屬層9表面之間用金屬線(6)相連接,所述基島(2)外圍的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)之間的區(qū)域、引腳(3)與引腳(3)之間的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)上部的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)下部的區(qū)域以及芯片(5)和金屬線(6)外均包封有塑封料(7),所述塑封料(7)與金屬基板框(1)的上下表面齊平,在所述基島(2)正面、引腳(3)的正面和背面以及金屬基板框(1)的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑(OSP)(8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結(jié)構(gòu),其特征在于:所述芯片(5)與基島(2)背面之間設(shè)置有金屬層(9)。
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