[發明專利]一種紅光寬帶發射納米晶體陣列的微波溶劑熱生長方法無效
| 申請號: | 201310644115.X | 申請日: | 2013-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN103643298A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 王達健;董曉菲;王芳;陸啟飛;盧志娟;馬健;王延澤;孫亮 | 申請(專利權)人: | 天津理工大學 |
| 主分類號: | C30B29/48 | 分類號: | C30B29/48;C30B28/06;C30B29/64;C23C14/35;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300384 天津市西青*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 紅光 寬帶 發射 納米 晶體 陣列 微波 溶劑 生長 方法 | ||
1.一種紅光寬帶發射納米晶體陣列的微波溶劑熱生長方法,其特征在于:采用兩步法,即采用磁控濺射先在硅或玻璃襯底上生長晶種層,再采用微波溶劑熱法通過改變前驅溶液濃度、生長溫度和生長時間控制CaS納米晶陣列的生長,具體步驟如下:
1)將硅(111)或玻璃襯底分別用丙酮、乙醇超聲清洗后,放入2?wt%氫氟酸溶液中去除表面的氧化物,再用去離子水洗滌,在80℃下恒溫烘干,然后以CaS為靶材,采用磁控濺射裝置在硅(111)或玻璃襯底上生長CaS晶種層,工藝條件是:充入氣壓為2.8?Pa氬氣、濺射電流為4?mA、襯底溫度為室溫,將生長好的CaS晶種層在高純氮氣氣氛中200℃下退火處理15?min,將生長有CaS晶種層的硅(111)或玻璃襯底放在高強度框式反應罐內;
2)將純度為98-99.9?wt%的下述固體原料CaCl2·2H2O或(CH3COO)2Ca·H2O、Na2S·9H2O或CH4N2S、MgCl2·6H2O?或MnCl2·4H2O和EuCl3·6H2O加入醇類溶劑中混合均勻,得到前驅物溶液,所述CaCl2·2H2O或(CH3COO)2Ca·H2O、Na2S·9H2O或CH4N2S、MgCl2·6H2O?或MnCl2·4H2O和EuCl3·6H2O的用量比按化學元素比Ca1-a-b-cMgaS:bMn,cEu計,其中Mn和Eu離子的化學價為二價,a、b、c為原子摩爾數,0.0≤a≤0.5,0.000≤b<0.005,0.000<c<0.003,固體原料總量與醇類溶劑的質量比為1:4;
3)將上述前驅物溶液在功率為60瓦、溫度為60℃的條件下超聲40分鐘,然后加入到步驟1)高強度框式反應罐內,體積填充率為30-50%;
4)將上述高強度框式反應罐放入微波反應器內加熱進行反應,微波反應器的工藝參數為:微波頻率2.45?GHz、功率1.60?KW、溫度180-260℃、壓力0-10?MPa,反應時間6-12小時;
5)反應結束后自然冷卻至室溫,取出生長有陣列納米晶體的硅(111)或玻璃襯底,用去離子水洗滌2-3次,然后在80℃恒溫5-7小時;
6)把生長有納米晶體陣列的硅(111)或玻璃襯底在H2的體積百分比為5-10%的N2-H2混合氣的還原氣氛下的管式爐內,在溫度900-1200℃下退火8-12小時,得到發射波長為660納米紅光的CaS納米晶體陣列。
2.根據權利要求1所述紅光寬帶發射納米晶體陣列的微波溶劑熱生長方法,其特征在于:所述醇類溶劑為乙醇、異丙醇或正丙醇。
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