[發(fā)明專利]深硅刻蝕方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310643211.2 | 申請日： | 2013-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN104671193A | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周娜;蔣中偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 陳振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 刻蝕 方法 | ||
1.一種深硅刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：
將涂有光刻膠的硅晶片放入刻蝕設(shè)備的腔室中，采用Bosh刻蝕工藝，獲得具有陡直深溝槽形貌的硅晶片；
去除所述具有陡直深溝槽形貌的硅晶片表面剩余的光刻膠；
在所述刻蝕設(shè)備的腔室中對去除光刻膠的硅晶片進(jìn)行頂部開口刻蝕，獲得具有V型頂部形貌的硅晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，在Bosh刻蝕工藝過程中，所述刻蝕設(shè)備的腔室中壓力為60mT～80mT。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述Bosh刻蝕工藝包括沉積步和刻蝕步，二者交替進(jìn)行；
所述沉積步中通入的氣體為C4F8，流量為180sccm～200sccm；
所述刻蝕步中通入的氣體為SF6，流量為200sccm～220sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述沉積步采用的上電極功率為300W～5000W，下電極功率為0W；
所述刻蝕步采用的上電極功率為300W～5000W，下電極功率為10W～30W。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，采用化學(xué)試劑浸泡或者超聲去除所述具有陡直深溝槽形貌的硅晶片表面剩余的光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，采用丙酮浸泡去除所述具有陡直深溝槽形貌的硅晶片表面剩余的光刻膠，包括以下步驟：
將所述具有陡直深溝槽形貌的硅晶片在丙酮溶液中浸泡2min，取出后用去離子水清洗，再用N2氣槍吹干。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述開口刻蝕采用單步刻蝕；
所述單步刻蝕過程中，所述刻蝕設(shè)備的腔室中壓力為140mT～160mT。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述單步刻蝕中通入的氣體為SF6和O2的混合氣體，且SF6的流量為500sccm～800sccm，O2的流量為50sccm～60sccm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述單步刻蝕中，采用的上電極功率為300W～5000W，下電極功率為10W～50W。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，
所述沉積步中，所述刻蝕設(shè)備的腔室中壓力為70mT，上電極功率為2000W，下電極功率為0W，通入的C4F8的流量為200sccm，沉積時間為2s；
所述刻蝕步中，所述刻蝕設(shè)備的腔室中壓力為70mT，上電極功率為2500W，下電極功率為10W，通入的SF6的流量為200sccm，刻蝕時間為5s；
所述沉積步和刻蝕步交替循環(huán)100次；
所述單步刻蝕中，所述刻蝕設(shè)備的腔室中壓力為150mT，上電極功率為2500W，下電極功率為30W，通入的SF6的流量為700sccm，通入的O2的流量為50sccm，刻蝕時間為120s。
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