[發明專利]用于高真空條件下的碳化硅吸波組件有效
| 申請號： | 201310642611.1 | 申請日： | 2013-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103762428A | 公開（公告）日： | 2014-04-30 |
| 發明（設計）人： | 王浩;李艷臣;季琨;陳麗;彭光東 | 申請（專利權）人： | 上海衛星裝備研究所 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 真空 條件下 碳化硅 組件 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于高真空條件下的碳化硅吸波組件，其特征在于，包括結構化基底和吸波劈尖，所述吸波劈尖通過二次壓鑄燒結與結構化基底成為整體。
2.根據權利要求1所述的用于高真空條件下的碳化硅吸波組件，其特征在于，所述結構化基底為多個方錐組合形成的陣列結構。
3.根據權利要求2所述的用于高真空條件下的碳化硅吸波組件，其特征在于，所述多個方錐包括熱電偶方錐和普通方錐，所述普通方錐為實心結構，所述熱電偶方錐內部設有熱電偶安裝孔。
4.根據權利要求2所述的用于高真空條件下的碳化硅吸波組件，其特征在于，所述方錐為16個，采用4×4陣列單元，其中，每個陣列單元的中心處均設有一個安裝孔。
5.根據權利要求2所述的用于高真空條件下的碳化硅吸波組件，其特征在于，為滿足X波段吸波效果，所述方錐高度為40mm。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的用于高真空條件下的碳化硅吸波組件，其特征在于，采用的材質為：通過在碳化硅中摻入氧化鋁及石墨顆粒，經過高溫燒結制得。
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