[發明專利]OTP器件結構及其加工方法

有效

• 申請號: 201310642610.7
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN104681558A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 王志剛;李弦
• 申請（專利權）人: 創飛有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112;H01L21/8246;H01L21/266
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 馮譜

1.一種OTP器件結構，該OTP器件結構包括：

襯底；

形成在所述襯底上的薄柵氧低壓存儲器件和厚柵氧高壓選擇器件；

所述薄柵氧低壓存儲器件包括形成在所述襯底之上的薄柵氧化層和柵極，以及在所述柵極兩側的所述襯底中形成的源區和漏區，其中所述源區和所述漏區在所述襯底中相向延伸并在所述薄柵氧化層下方相接以形成源漏溝道穿通。

2.根據權利要求1所述的OTP器件結構，其中：

所述源區和漏區通過離子注入的方法形成。

3.根據權利要求1所述的OTP器件結構，其中：

所述薄柵氧化層的厚度小于或等于5納米，所述柵極的柵長小于或等于350納米，所述薄柵氧低壓存儲器件的工作電壓上限是3.3V；

所述厚柵氧高壓選擇器件的厚柵氧化層的厚度大于或等于所述薄柵氧化層的厚度的1.5倍，該厚柵氧高壓選擇器件的柵長大于或等于所述柵極的柵長的1.5倍，所述厚柵氧高壓選擇器件的工作電壓大于或等于所述薄柵氧低壓存儲器件的工作電壓的1.5倍。

4.一種OTP器件結構的加工方法，該方法包括：

提供襯底，并在該襯底上預留用于形成厚柵氧高壓選擇器件的源漏區的第一注入區域，以及預留用于形成薄柵氧低壓存儲器件的源漏區的第二注入區域；

提供覆蓋所述襯底的掩膜層，該掩膜層同時暴露所述第一注入區域和所述第二注入區域；

基于所述掩膜層對所述襯底執行用于形成厚柵氧高壓選擇器件源漏區的離子注入；所述離子注入作用于所述第一注入區域以形成所述厚柵氧高壓選擇器件的源漏區；

所述離子注入還作用于所述第二注入區域以形成所述薄柵氧低壓存儲器件的源區和漏區，其中所述源區和所述漏區在所述襯底中形成源漏溝道穿通。

5.根據權利要求4所述的加工方法，其中，所述離子注入包括：

順序執行的LDD注入和源漏注入。

6.根據權利要求4所述的加工方法，其中：

對版圖設計文件執行預定的布爾邏輯的運算生成所述掩膜層。

7.根據權利要求6所述的加工方法，其中：

所述布爾邏輯內包括用于指示生成暴露所述第一注入區域的同時還暴露所述第二注入區域的所述掩膜層的標識參數。

8.根據權利要求4所述的加工方法，其中：

所述薄柵氧低壓存儲器件的薄柵氧化層的厚度小于或等于5納米，所述薄柵氧低壓存儲器件的柵長小于或等于350納米，所述薄柵氧低壓存儲器件的工作電壓上限是3.3V；

所述厚柵氧高壓選擇器件的厚柵氧化層的厚度大于或等于所述薄柵氧化層的厚度的1.5倍，該厚柵氧高壓選擇器件的柵長大于或等于所述薄柵氧低壓存儲器件的柵長的1.5倍，所述厚柵氧高壓選擇器件的工作電壓大于或等于所述薄柵氧低壓存儲器件的工作電壓的1.5倍。

9.一種OTP器件結構，該OTP器件結構包括：

襯底；

形成在所述襯底上的薄柵氧低壓存儲器件和厚柵氧高壓選擇器件；

所述薄柵氧低壓存儲器件包括形成在所述襯底內的摻雜阱，以及形成在所述摻雜阱之上的薄柵氧化層和柵極；

所述薄柵氧低壓存儲器件還包括通過離子注入的方法在所述柵極兩側的所述襯底中形成的源區和漏區，其中所述離子注入所選用的離子與所述摻雜阱的摻雜離子同族。

10.根據權利要求9所述的OTP器件結構，其中：

所述襯底是P型襯底；

所述摻雜阱是N阱；

所述離子注入是N型離子注入。

11.根據權利要求9所述的OTP器件結構，其中：

所述襯底是N型襯底；

所述摻雜阱是P阱；

所述離子注入是P型離子注入。

12.根據權利要求9所述的OTP器件結構，其中：

所述薄柵氧化層厚度小于或等于5納米，所述柵極的柵長小于或等于800納米，所述薄柵氧低壓存儲器件的工作電壓上限是3.3V。