[發明專利]一種用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法有效
| 申請號： | 201310642519.5 | 申請日： | 2013-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103840051A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 袁根如;郝茂盛;邢志剛;李振毅;陳耀 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 氮化物 生長 襯底 結構 制造 方法 | ||
1.一種用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
1）提供一生長襯底，于所述生長襯底表面形成用于后續發光外延結構生長的緩沖層；
2）于所述緩沖層表面形成SiO2層；
3）采用感應耦合等離子體刻蝕工藝將所述SiO2層刻蝕出間隔排列的多個SiO2凸起，且多個SiO2凸起之間保留預設厚度的SiO2底層；
4）采用濕法腐蝕工藝腐蝕所述SiO2底層，直至露出各該SiO2凸起之間的緩沖層。
2.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：所述生長襯底的材料為藍寶石、SiC、Si及ZnO的一種。
3.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：所述緩沖層的厚度為50～400埃。
4.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：所述緩沖層為采用化學氣相沉積法所制備的AlxGa1-xN層，0≤X≤0.5，制備的溫度范圍為450～700℃。
5.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：所述緩沖層為采用濺射法所制備的AlN層，所述AlN層的晶向為（0001）取向。
6.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：所述緩沖層為BN材料層。
7.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：步驟2）采用等離子體增強化學氣相沉積法于所述緩沖層表面形成SiO2層，所述的SiO2層的厚度為0.2～3μm。
8.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：所述多個SiO2凸起呈周期性間隔排列，SiO2凸起的寬度為1～4μm，間距為0.5～2μm。
9.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：所述SiO2凸起為SiO2包狀凸起、SiO2圓錐狀凸起或SiO2金字塔狀凸起。
10.根據權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結構的制造方法，其特征在于：所述SiO2底層的厚度為不大于50nm。
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