[發(fā)明專利]一次先鍍后蝕金屬框減法埋芯片倒裝平腳結(jié)構(gòu)及工藝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310642045.4
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN103646931A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁新夫;梁志忠;王孫艷
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種一次先鍍后蝕金屬框減法埋芯片倒裝平腳結(jié)構(gòu)的工藝方法，所述方法包括如下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、貼光阻膜作業(yè)

在金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；

步驟三、金屬基板表面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板表面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；

步驟四、電鍍抗氧化金屬層或是被覆抗氧化劑（OSP）

在步驟三中金屬基板表面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行電鍍抗氧化金屬層，防止金屬氧化，如金、鎳金、鎳鈀金、錫或是被覆抗氧化劑（OSP）；

步驟五、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟六、貼光阻膜作業(yè)

在金屬基板的表面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；

步驟七、金屬基板表面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板表面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，具體是去除電鍍抗氧化金屬層以外的光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形；

步驟八、化學(xué)蝕刻

在步驟七中金屬基板表面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行不同深度的化學(xué)蝕刻，化學(xué)蝕刻完成后即形成相應(yīng)的基島與臺階形引腳；

步驟九、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟十、裝片

在步驟九的基島背面和引腳臺階面將已完成表面有凸點(diǎn)的芯片進(jìn)行倒裝，完成后并通過底部填充膠進(jìn)行底部填充保護(hù)；

步驟十一、包封

對步驟十的金屬基板內(nèi)部采用塑封料進(jìn)行塑封，塑封料與金屬基板的正面和背面均齊平；

步驟十二、電鍍抗氧化金屬層或是被覆抗氧化劑

在完成步驟十一后的金屬基板表面裸露在外的金屬進(jìn)行電鍍抗氧化金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次先鍍后蝕金屬框減法埋芯片正裝平腳結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于當(dāng)步驟四中的抗氧化金屬層為鎳金或鎳鈀金時，所述步驟六和步驟七可以省略。

3.由權(quán)利要求1或2所制得的一種一次先鍍后蝕金屬框減法埋芯片倒裝平腳結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括金屬基板框（1），在所述金屬基板框（1）內(nèi)部設(shè)置有基島（2）和引腳（3），所述引腳（3）呈臺階狀，所述基島（2）和引腳（3）的正面與金屬基板框（1）正面齊平，所述引腳3的背面與金屬基板框（1）的背面齊平，所述基島（2）背面與引腳（3）的臺階面齊平，所述引腳（3）所述基島（2）的背面通過底部填充膠（4）倒裝有芯片（5）所述基島（2）外圍的區(qū)域、基島（2）和引腳（3）之間的區(qū)域、引腳（3）與引腳（3）之間的區(qū)域、基島（2）和引腳（3）上部的區(qū)域、基島（2）和引腳（3）下部的區(qū)域以及芯片（5）外均包封有塑封料（6），所述塑封料（6）與金屬基板框（1）的上下表面齊平，在所述基島（2）正面、引腳（3）的正面和背面以及金屬基板框（1）的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑(OSP)（7），所述塑封料（6）與金屬基板框（1）上下表面的抗氧化層或被覆抗氧化劑（OSP）（7）齊平。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種一次先鍍后蝕金屬框減法埋芯片倒裝平腳結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述芯片（5）與基島（2）背面之間設(shè)置有金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種一次先鍍后蝕金屬框減法埋芯片倒裝平腳結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：在步驟九去除光阻膜和步驟十裝片之間在金屬基板表面裸露的金屬表面進(jìn)行抗氧化金屬層電鍍或抗氧化劑(OSP)披覆。