[發明專利]檢測裝置和放射線檢測系統無效
| 申請號： | 201310641703.8 | 申請日： | 2013-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103855176A | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發明（設計）人： | 和山弘;渡邊實;橫山啟吾;大藤將人;川鍋潤;藤吉健太郎;中山明哉 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 羅銀燕 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 檢測 裝置 放射線 系統 | ||
1.一種檢測裝置，包括：
轉換層，其被配置為將入射光或放射線轉換成電荷；
多個第一電極，其被配置為收集作為所述轉換層的轉換的結果而產生的電荷；以及
多個第一雜質半導體層，其被布置在所述多個第一電極與所述轉換層之間，
其中，所述轉換層被布置在所述多個第一電極之上以便覆蓋所述多個第一電極，并且，
所述轉換層的覆蓋相鄰的一對所述第一電極之間的區域的部分包括膜厚比所述轉換層的覆蓋所述第一電極的邊緣的部分小的部分。
2.根據權利要求1的檢測裝置，還包括與所述多個第一電極電連接的多個晶體管，其中，
所述多個晶體管中的每一個分別布置在被與該晶體管電連接的所述多個第一電極中的電極覆蓋的位置中。
3.根據權利要求1的檢測裝置，其中，所述轉換層在覆蓋相鄰的一對所述第一電極之間的區域的部分中凹陷。
4.根據權利要求1的檢測裝置，還包括在所述多個第一電極之上擴展、在所述轉換層上面依次布置的第二雜質半導體層和第二電極，其中:
所述轉換層包括本征半導體層；并且，
所述多個第一雜質半導體層和所述第二雜質半導體層在導電類型上彼此不同。
5.根據權利要求4的檢測裝置，其中，所述第二雜質半導體層和所述第二電極在覆蓋相鄰的一對所述第一電極之間的區域的部分中凹陷。
6.根據權利要求1的檢測裝置，其中，所述轉換層的覆蓋相鄰的一對所述第一電極之間的區域的部分的膜厚的最小值是所述轉換層的覆蓋所述第一電極的邊緣的部分的膜厚的三分之一或更多。
7.一種放射線檢測系統，包括：
根據權利要求1的檢測裝置；以及
適于處理由所述檢測裝置獲得的信號的信號處理單元。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
