[發(fā)明專利]一種氣相法生長氮化鋁晶體用原料的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310640427.3
• 申請日: 2013-12-04
• 公開（公告）號: CN103643295A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉彤;楊俊;劉京明;董志遠(yuǎn);趙有文
• 申請（專利權(quán)）人: 北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C30B23/00;B22F3/10
• 代理公司: 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11003
• 代理人: 尹振啟

1.一種氣相法生長氮化鋁晶體用原料的制備方法，其特征在于，該制備方法具體為：

1)將所要使用的鎢坩堝和坩堝蓋浸泡于王水中30-120分鐘，取出沖洗干凈，吹干備用；

2)向鎢坩堝中加入氮化鋁粉料，并進(jìn)行若干層壓實(shí)處理；

3)在鎢坩堝上加蓋坩堝蓋，放入鎢網(wǎng)加熱爐中，抽真空到10^-2-10^-3Pa，再充入高純氮?dú)獾?0-30kPa，升溫至300-500℃，恒溫1-3小時(shí)，升溫至800-1000℃，恒溫1-3小時(shí)；

4)向鎢網(wǎng)加熱爐內(nèi)充入高純氮?dú)獾?0-60kPa，升溫至1500-1800℃，恒溫5-6小時(shí)，升溫至1950-2050℃，恒溫8-10小時(shí)；降溫至室溫，得到氮化鋁燒結(jié)塊，作為氣相法氮化鋁單晶生長的原料。

2.如權(quán)利要求1所述的氣相法生長氮化鋁晶體用原料的制備方法，其特征在于，所述步驟2）中具體步驟為：向鎢坩堝中加入氮化鋁粉料，加至鎢坩堝一半高度時(shí)，將料壓實(shí)，使其面表面平整，內(nèi)部致密；再向鎢坩堝中加料至坩堝頂部并再次壓實(shí)。

3.如權(quán)利要求1所述的氣相法生長氮化鋁晶體用原料的制備方法，其特征在于，所述步驟3）中抽真空到10^-3Pa，再充入高純氮?dú)獾?0kPa，升溫至300℃，恒溫1小時(shí)，升溫至800℃，恒溫1小時(shí)。

4.如權(quán)利要求1所述的氣相法生長氮化鋁晶體用原料的制備方法，其特征在于，所述步驟4）中充入高純氮?dú)獾?0kPa，升溫至1800℃，恒溫5小時(shí)，升溫至2050℃，恒溫8小時(shí)。