[發明專利]一種高性能釹鐵硼磁體的快速成形方法

有效

• 申請號: 201310638198.1
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN103632835A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 崔熙貴;崔承云;程曉農;許曉靜;張潔
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F3/16
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種高性能釹鐵硼磁體的快速成形方法，其特征在于，采用速凝甩帶、磁場輔助激光熔化沉積與熱變形相結合的復合方法以逐層鋪帶與逐層取向熔化沉積的方式快速制備高性能釹鐵硼磁體；其主要步驟為：

A)?按照磁體成分稱量各元素原料，將其混合；

B)?通過速凝甩帶方法制得釹鐵硼合金薄帶；

C)?將釹鐵硼合金薄帶逐層鋪帶，在保護氣體或真空下將釹鐵硼合金薄帶逐層進行磁場輔助激光熔化沉積，制得釹鐵硼磁體；

D)?將釹鐵硼磁體進行熱變形，強化磁織構；

E)?將熱變形釹鐵硼磁體進行真空低溫回火，改善晶界結構，提高磁體性能。

2.?根據權利要求1所述的一種高性能釹鐵硼磁體的快速成形方法，其特征在于，所述步驟A)中的磁體成分的原子百分比為Nd_aR_bFe_100-a-b-c-dB_cM_d，其中14≤a+b≤18，0.1≤b≤5，6≤c≤8，0.1≤d≤4，R為Pr、Dy、Tb、Ho、Gd元素中的一種或幾種，M為Al、Cu、Ga、Mg、Zn、Sn、Si、Co、Ni、Nb、Zr、Ti、W、V、Hf元素中一種或幾種。

3.?根據權利要求1所述的一種高性能釹鐵硼磁體的快速成形方法，其特征在于，所述步驟C)中的磁場的磁場強度為10-20T。

4.?根據權利要求1所述的一種高性能釹鐵硼磁體的快速成形方法，其特征在于，所述步驟C)中的激光為連續激光，激光熔化沉積的參數為：激光功率300-5000W，掃描速度10-100mm/s，光斑直徑0.2-1mm，搭接率20%-80%。

5.?根據權利要求1所述的一種高性能釹鐵硼磁體的快速成形方法，其特征在于，所述步驟D)中的熱變形參數為：溫度為650-1000℃，壓力為50-300MPa。

6.?根據權利要求1所述的一種高性能釹鐵硼磁體的快速成形方法，其特征在于，所述步驟E)中的真空低溫回火溫度為480-650℃，回火時間為0.5-4h。