[發明專利]一種淺溝槽隔離氧化層的制備方法及其裝置

在審

• 申請號: 201310637529.X
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN103700585A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 江潤峰
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/762
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種淺溝槽隔離氧化層的制備方法，其特征在于，步驟包括：

提供一具有淺溝槽隔離凹槽的半導體襯底；

將所述半導體襯底放置于一反應腔室中；

于該反應腔室中通入催化氣體和氧化氣體，生成自由基，該自由基與所述半導體襯底的表面反應，以于所述淺溝槽隔離凹槽的底部及其側壁生成隔離氧化層。

所述的催化氣體為分成至少三股且入口高度各不相同的氣體通入反應腔中。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的產生的自由基包括：O·，H·或·OH中的一種或多種的混合物。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的催化氣體為氫氣，氧化氣體為氧氣。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述的氫氣和氧氣混合體積比為1：99-30：70。

5.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述的氧氣的流量范圍為5-30slm，氫氣的流量范圍為1-4slm。

6.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述的氫氣和氧氣反應溫度為800-1000℃，壓力為0.1-0.6Torr。

7.一種用于權利要求1-6中任意一項所述的方法制備淺溝槽隔離氧化層的低壓爐管裝置，其特征在于，所述的裝置包括低溫爐管，該低溫爐管上設置有氧化氣體進氣口和至少三個催化氣體進氣口；其中，該多個催化氣體進氣口分別設置于所述低溫爐管的頂部、中部和底部且高度不相同，以使得通過該多個催化氣體進氣口進入所述低溫爐管的催化氣體均勻的分布于該低溫爐管中；

所述的裝置還包括：加熱裝置，用于給低壓爐管主體進行分區加熱。

8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述的低壓爐管內腔催化氣體進氣口的氣體流量大小關系為底部>中部>頂部。

9.如權利要求6所述的低壓爐管裝置，其特征在于，所述的催化氣體進氣管和氧化氣體進氣管，由MFC控制器控制流入爐管內的反應氣體的流量。

10.如權利要求6所述的低壓爐管裝置，其特征在于，所述的低壓爐管裝置還包括：與低壓爐管氣體出口端連接的第一閥門，用于控制低壓爐管氣體出口端的開關；與低壓爐管裝置連接的壓力計，用于觀測低壓爐管內的壓力狀況；與第一閥門連接的泵，用于抽出爐管內的氣體；與泵連接的除害桶，用于去除氣體中的有害成分。