[發(fā)明專利]氮化鎵激光器腔面的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310637212.6
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103701037A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田迎冬;董鵬;張韻;閆建昌;孫莉莉;王軍喜;李晉閩
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種氮化鎵激光器腔面的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1：在襯底上外延生長氮化鎵激光器結(jié)構(gòu)，得到氮化鎵外延片，所述氮化鎵激光器結(jié)構(gòu)從襯底(10)一側(cè)依次包括n型歐姆接觸層(11)、n型限制層(12)、n型波導(dǎo)層(13)、量子阱(14)、電子阻擋層(15)、p型波導(dǎo)層(16)、p型限制層(17)、p型歐姆接觸層(18)；

步驟S2：在所述p型歐姆接觸層(18)上涂覆光刻膠，形成光刻膠層(19)：

步驟S3：使用光刻版對所述光刻膠層(19)進(jìn)行光刻；

步驟S4：在所述光膠層上蒸鍍金屬；

步驟S5：去除光刻膠層，在p形型歐姆接觸層上得到金屬掩膜(20)；

步驟S6：根據(jù)金屬掩膜(20)的圖案從所述p型歐姆接觸層(18)進(jìn)行刻蝕，依次刻蝕掉所述p型歐姆接觸層(18)、p型限制層(17)、p型波導(dǎo)層(16)、電子阻擋層(15)、量子阱(14)、n型波導(dǎo)層(13)和n型限制層(12)；

步驟S7：對所述外延片進(jìn)行腐蝕，以去除腔面上由刻蝕造成的條紋狀損傷，并對腔面進(jìn)行側(cè)向腐蝕，使腔面變得垂直并且平滑；

步驟S8：去除所述金屬模板。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化物激光器腔面的制作方法，其特征在于，步驟S1中外延的方法包括MOCVD、MBE、HVPE方法。

3.如權(quán)利要求1所述的氮化物激光器腔面的制作方法，其特征在于，襯底的材料是藍(lán)寶石、SiC、GaN或是AlN。

4.如權(quán)利要求1所述的氮化物激光器腔面的制作方法，其特征在于，步驟S2采用的光刻膠為負(fù)型光刻膠。

5.如權(quán)利要求1所述的氮化物激光器腔面的制作方法，其特征在于，金屬掩膜的材料為Ni、Ti/Ni或是Cr/Ni。

6.如權(quán)利要求1所述的氮化物激光器腔面的制作方法，其特征在于，所述步驟S6采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕，刻蝕氣體為Cl₂、Ar₂、BCl₃。

7.如權(quán)利要求1所述的氮化物激光器腔面的制作方法，其特征在于，步驟S7中采用堿性腐蝕溶液進(jìn)行腐蝕。