[發(fā)明專利]用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310637021.X
• 申請(qǐng)日: 2013-12-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103855605B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 向野美鄉(xiāng);中村亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豐田合成株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/34
• 分類號(hào): H01S5/34
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬(wàn)志

1.一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件具有在襯底的主表面上的第III族氮化物半導(dǎo)體層，所述方法包括：

形成發(fā)光層，所述形成發(fā)光層還包括以下步驟：

形成勢(shì)壘層；

在所述勢(shì)壘層上形成阱層；以及

在所述阱層上形成蓋層；

其中形成所述勢(shì)壘層時(shí)的襯底溫度比形成所述阱層時(shí)的襯底溫度高出落在從65℃至135℃的范圍內(nèi)的任意溫度；以及

其中在形成所述發(fā)光層時(shí)，將在所述發(fā)光層的頂表面處測(cè)得的平均凹坑直徑調(diào)整為落在120nm至250nm的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述發(fā)光層時(shí)，將在所述發(fā)光層的底表面處測(cè)得的平均凹坑直徑調(diào)整為落在50nm至170nm的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述阱層時(shí)，形成含銦層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述阱層時(shí)，形成含銦層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述蓋層時(shí)，將所述蓋層的分解和擴(kuò)散速度調(diào)整為落在/秒至/秒的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述發(fā)光層時(shí)，保留至少或更大厚度的所述蓋層，并且在所保留的蓋層上形成所述勢(shì)壘層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述發(fā)光層時(shí)，將所述發(fā)光層的總厚度調(diào)整為落在500nm至700nm的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述發(fā)光層時(shí)，將所述發(fā)光層的總厚度調(diào)整為落在500nm至700nm的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述勢(shì)壘層包含AlGaN并且所述蓋層包含GaN。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述發(fā)光層時(shí)，保留至少或更大厚度的所述蓋層，并且在所保留的蓋層上形成所述勢(shì)壘層。