[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310636768.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103872080B | 公開(公告)日: | 2017-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李廷炫;許俊榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127 | 代理人: | 呂俊剛,劉久亮 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,更具體地,涉及用于抑制有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的垂直串?dāng)_現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu),該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有針對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管中的閾值電壓變化的內(nèi)部補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
被提議用于代替現(xiàn)有的陰極射線管顯示裝置的平板顯示裝置可以包括液晶顯示器、場(chǎng)致發(fā)光顯示器、等離子體顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器等。
其中,根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,有機(jī)發(fā)光二極管可以提供如下優(yōu)點(diǎn),例如,高亮度和低操作電壓特性、由于操作為自然地發(fā)光的自發(fā)光類型而具有的高對(duì)比度以及允許超薄顯示器的實(shí)現(xiàn)。此外,有機(jī)發(fā)光二極管具有如下特性,例如,利用幾微秒(μs)的響應(yīng)時(shí)間方便運(yùn)動(dòng)圖像的實(shí)現(xiàn)、在視角方面沒有任何限制以及即使在低溫下也具有穩(wěn)定性。
圖1是示出相關(guān)技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的一個(gè)像素的等效電路圖的視圖。
如圖所示,在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,掃描信號(hào)(Scan)線與數(shù)據(jù)信號(hào)(Vdata)線以互相交叉的方式形成,并且,用于提供電源電壓(VDD)的線以預(yù)定距離與數(shù)據(jù)信號(hào)(Vdata)線分開形成,從而形成一個(gè)像素(PX)。
此外,有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以包括:開關(guān)薄膜晶體管(SWT),該開關(guān)薄膜晶體管(SWT)用于響應(yīng)于掃描信號(hào)(Scan)將數(shù)據(jù)信號(hào)(Vdata)施加到第一節(jié)點(diǎn)(N1);以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT),該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管用于在源極接收驅(qū)動(dòng)電壓(VDD),并根據(jù)施加到第一節(jié)點(diǎn)(N1)上的電壓將漏電流施加到有機(jī)發(fā)光二極管(EL);以及電容器(C1),該電容器用于將施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極的電壓保持一個(gè)幀的周期。
此外,有機(jī)發(fā)光二極管(EL)可以包括形成在陰極和陽極之間的有機(jī)發(fā)光層,其陽極連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的漏極,并且其陰極接地(VSS)。有機(jī)發(fā)光層可以包括空穴傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層。
上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置控制流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管(EL)的電流量以顯示圖像灰度,并且,圖像質(zhì)量由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的特性來決定。
然而,即使在一個(gè)顯示面板中,都可能發(fā)生每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之間的閾值電壓變化,并且,流經(jīng)每個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管(EL)的電流也可能變化,從而引起不能實(shí)現(xiàn)預(yù)期灰度的問題。為了解決這一問題,如圖2所示,提出了內(nèi)部補(bǔ)償型像素結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中,增加了用于施加參考電壓(VREF)的一個(gè)或更多個(gè)采樣薄膜晶體管(T1、T2)和多個(gè)電容器(C1、C2),以通過感測(cè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的閾值電壓并移除在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的漏電流上感測(cè)到的閾值電壓分量來補(bǔ)償閾值電壓變化。
然而,根據(jù)上述內(nèi)部補(bǔ)償型像素結(jié)構(gòu),相比于相關(guān)技術(shù)圖1,需要提供更多數(shù)量的薄膜晶體管,因此,其具有減小孔徑比(aperture ratio)的缺點(diǎn)。
此外,可以如下方式設(shè)計(jì)像素以使得在有限的像素空間內(nèi)保證最大的孔徑比,因此,連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極的線設(shè)置為與數(shù)據(jù)線(DL)相鄰,并且,根據(jù)寄生電容,由于由數(shù)據(jù)線(DL)的電壓變化引起的耦合效應(yīng),使得施加到柵極的電壓波動(dòng),因此,驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓發(fā)生變化。
這可能改變驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電流,從而引起諸如垂直串?dāng)_的圖像質(zhì)量劣化。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明致力于解決上述問題,并且本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于抑制圖像質(zhì)量劣化問題的具有內(nèi)部補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,該圖像質(zhì)量劣化問題是由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容所引起的。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以包括:基板;掃描線,該掃描線沿第一方向形成在所述基板上;數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線形成在與所述第一方向垂直的第二方向上,以在與所述掃描線交叉的位置限定像素區(qū)域;多個(gè)薄膜晶體管,該多個(gè)薄膜晶體管形成在所述像素區(qū)域上;有機(jī)發(fā)光二極管,該有機(jī)發(fā)光二極管電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管;以及屏蔽電極,該屏蔽電極形成在所述數(shù)據(jù)線的下層,與電連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的電極相鄰。
所述屏蔽電極可以由與所述掃描線和柵極相同的金屬層形成。
所述屏蔽電極可以與所述數(shù)據(jù)線交疊。
電連接到所述柵極的電極通過位于其上部的對(duì)置電極可以形成電容器。
所述屏蔽電極可以處于浮置狀態(tài)或被施加具有固定電壓電平的DC電壓。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
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