[發明專利]一種肖特基二極管及其測試方法

在審

• 申請號: 201310636409.8
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104681636A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 劉磊;張敏;田飛飛;鄭樹楠;張志強;王海;周桃飛;弓曉晶;王建峰;徐科
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/66
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 楊林;李友佳

1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括：

GaN層；

位于GaN層上的絕緣層，所述絕緣層具有一開口部，形成肖特基接觸區域；

第一電極，形成于所述肖特基接觸區域內，與所述GaN層接觸，并且，所述第一電極至少部分覆蓋于所述絕緣層的上部；

第二電極，與所述第一電極連接，位于所述第一電極覆蓋所述絕緣層的部分之上；

其中，所述第一電極的厚度小于所述第二電極的厚度。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一電極的厚度為5～30nm；所述第二電極的厚度為200～1000nm。

3.根據權利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，還包括與所述GaN層連接的歐姆電極層，所述歐姆電極層的厚度總為100～1000nm。

4.根據權利要求3所述的肖特基二極管，其特征在于，所述歐姆電極層為單層的Ti材料層。

5.根據權利要求3所述的肖特基二極管，其特征在于，所述歐姆電極層為多層疊層設置的金屬材料層，所述金屬材料包括Ti、Al、Ni和Au；所述多層金屬材料層中至少包含一Ti材料層，所述Ti材料層與所述GaN層連接。

6.根據權利要求1-5任一所述的肖特基二極管，其特征在于，所述絕緣層呈環狀，其中心為所述開口部；所述開口部的側壁具有一傾斜角度，傾斜角度的范圍是1～80°，從俯視的角度中所述開口部呈上大下小的結構。

7.根據權利要求6所述的肖特基二極管，其特征在于，所述GaN層為GaN自支撐材料。

8.根據權利要求6所述的肖特基二極管，其特征在于，所述絕緣層的材料為SiO₂、Si₃N₄或Al₂O₃，其厚度為100～1000nm。

9.根據權利要求6所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一電極的材料為Ni、Pt或Au，所述第二電極的材料為Ti、Au、Al或Cu；所述第一電極和第二電極為單層金屬材料層或多層金屬材料層。

10.一種肖特基二極管的測試方法，其特征在于，包括步驟：

（a）、提供如權利要求1-9任一所述的肖特基二極管；

（b）、在所述第一電極位于所述肖特基接觸區域的部分采用陰極熒光譜來觀測所述肖特基二極管內部的位錯數目及分布。

11.根據權利要求10所述的的測試方法，其特征在于，還包括步驟：在所述第二電極上施加電壓或電流以測試所述肖特基二極管的I-V特性。