[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體晶圓的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310634807.6
• 申請(qǐng)日: 2013-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN103854991B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村由夫;市川大造;住澤春男;原史朗;聳嘛玩;池田伸一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 不二越機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社;獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會(huì)華

1.一種制造半導(dǎo)體晶圓的方法，在該方法中從大直徑半導(dǎo)體晶圓中切出多個(gè)小直徑晶圓，所述方法包括：

標(biāo)記步驟，以使得直槽狀定向平面線穿過所述大直徑半導(dǎo)體晶圓的每一行中的各個(gè)所述小直徑晶圓的方式通過激光束集體地為每一行形成直槽狀定向平面線，其中，圓形的所述小直徑晶圓的切出位置在特定方向上成行地對(duì)齊；和

切割步驟，在所述標(biāo)記步驟之后通過激光束從所述大直徑半導(dǎo)體晶圓中個(gè)別地呈圓形地切出所述小直徑晶圓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，所述方法包括研磨步驟，所述研磨步驟研磨所述大直徑半導(dǎo)體晶圓以使其具有所需的厚度，其中在所述研磨步驟之后進(jìn)行所述標(biāo)記步驟和隨后的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，所述直槽狀定向平面線形成為使得所述直槽狀定向平面線的兩端到達(dá)待切出的所述小直徑晶圓的邊緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，基于所述大直徑半導(dǎo)體晶圓的定向平面或缺口確定所述直槽狀定向平面線的位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，切出半英寸尺寸的所述小直徑晶圓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)一步包括：

外徑精加工步驟，精加工切出的所述小直徑晶圓以使其具有所需的外徑；

倒角步驟，將所述小直徑晶圓的外周倒角成預(yù)定形狀；

蝕刻步驟，蝕刻倒角過的所述小直徑晶圓；

鏡面倒角步驟，使用精加工用磨石對(duì)倒角過的所述小直徑晶圓的倒角部進(jìn)行鏡面加工；

拋光步驟，對(duì)鏡面倒角過的所述小直徑晶圓進(jìn)行鏡面加工；以及

精密清洗步驟，清洗通過拋光污染的所述小直徑晶圓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，使用倒角設(shè)備并采用同一磨石同時(shí)進(jìn)行所述外徑精加工步驟和所述倒角步驟。