[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

在審

• 申請號: 201310634785.3
• 申請日: 2013-11-30
• 公開（公告）號: CN104674165A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;黃輝;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/28;C23C14/26;B32B9/00
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及半導體光電材料，特別是涉及導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基板、其制備方法及有機電致發光器件。

背景技術

導電薄膜電極是有機電致發光器件（OLED）的基礎構件，其性能的優劣直接影響著整個器件的發光效率。其中，透明導電薄膜是把光學透明性能與導電性能復合在一體的光電材料，由于其具有優異的光電特性，成為近年來的研究熱點和前沿課題，可廣泛應用于太陽能電池，LED，TFT，LCD及觸摸屏等屏幕顯示領域。隨著器件性能要求的提高，用于作為器件陰極的透明導電膜的性能也在要求提高。對于器件出光效率的需要，很多研究機構都在設法在陰極與基板之間插入散射層。

高性能的器件，還要求陰極有較低的表面功函數，使其與其他功能層的能級相匹配，降低勢壘，提高載流子注入效率，最終達到高的電光效率。

發明內容

基于此，有必要提供一種功函數較低的導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基板、其制備方法及有機電致發光器件。

一種導電薄膜，包括層疊的TiO_2-xF_x層及Me₂O層，其中，TiO_2-xF_x層是氟摻雜氧化鈦的薄膜層，Me₂O層為氧化鈉，氧化鉀，氧化銣或氧化銫的薄膜層，其中，x為0.1～0.6。

所述TiO_2-xF_x層為納米線結構，納米直徑為20～200nm。

所述TiO_2-xF_x層的厚度為80nm～400nm，所述Me₂O層的厚度為0.5nm～10nm。

一種導電薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將TiO_2-xF_x靶材及襯底裝入脈沖激光沉積設備的真空腔體，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，TiO_2-xF_x層是氟摻雜氧化鈦的靶材，其中，x為0.1～0.6；

在所述襯底表面沉積TiO_2-xF_x層，沉積所述TiO_2-xF_x層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，脈沖激光能量為80mJ～300mJ，工作壓強3Pa～30Pa，惰性工作氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，得到TiO_2-xF_x層是氟摻雜氧化鈦的薄膜層，x為0.1～0.6；

在所述TiO_2-xF_x層表面蒸鍍Me₂O層，蒸鍍所述Me₂O層的工藝參數為：采用Me₂CO₃的材料在壓強5.0×10^-3Pa～5.0×10^-4Pa，溫度為600℃～800℃，蒸鍍速率為0.3nm/s～5nm/s的條件下進行蒸鍍，其中，Me₂CO₃的材料為碳酸鈉，碳酸鉀，碳酸銣，碳酸銣和碳酸銫中至少一種，得到Me₂O層為氧化鈉，氧化鉀，氧化銣或氧化銫的薄膜層；及

剝離所述襯底，得到所述導電薄膜。

所述TiO_2-xF_x層的厚度為80nm～400nm，所述Me₂O層的厚度為0.5nm～10nm。

所述TiO_2-xF_x靶材由以下步驟得到：稱取TiO₂和TiF₄粉體混合均勻得到混合物，其中，TiF₄占混合物的摩爾百分數為2.6%～17.6%，將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結制成靶材。

一種有機電致發光器件的基板，包括依次層疊的襯底、TiO_2-xF_x層及Me₂O層，其中，TiO_2-xF_x層是氟摻雜氧化鈦的薄膜層，Me₂O層為氧化鈉，氧化鉀，氧化銣或氧化銫的薄膜層，其中，x為0.1～0.6。