[發明專利]半導體器件和制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310634761.8
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN103855221B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: A.邁澤;T.施勒澤
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,徐紅燕

1.一種包括在具有第一主表面的半導體襯底中形成的晶體管的半導體器件，所述晶體管包括：

源極區域；

漏極區域；

溝道區域；

漂移區；

鄰近于所述溝道區域的柵電極，所述柵電極被配置為控制在所述溝道區域中形成的溝道的傳導性，所述溝道區域和所述漂移區在所述源極區域和所述漏極區域之間被沿著第一方向置放，所述第一方向平行于所述第一主表面，所述溝道區域通過在所述半導體襯底中的相鄰的第一溝槽被圖案化為沿著所述第一方向延伸的第一突脊；和

鄰近于所述漂移區布置的第一場板，

其中所述柵電極布置在沿著所述第一方向延伸的柵極溝槽中，并且所述第一場板布置在沿著所述第一方向延伸的場板溝槽中，其中所述柵極溝槽和所述場板溝槽被形成為使得在相鄰柵極溝槽之間的節距不同于在相鄰場板溝槽之間的節距。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵電極被置放在所述第一突脊的至少兩側處。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一突脊包括頂側和兩個側壁。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中當所述半導體器件在接通狀態中操作時，沿著所述側壁中的至少一個形成傳導反型層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述漂移區的一個部分通過在所述半導體襯底中的相鄰的第二溝槽被圖案化為沿著所述第一方向延伸的第二突脊。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一場板的部分被置放在所述第二突脊的至少兩側處。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第二突脊具有與所述第一突脊的寬度不同的寬度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵電極和所述第一場板被相互隔離。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括第二場板，所述第二場板在所述第一場板和所述漏極區域之間被沿著所述第一方向鄰近于所述第一主表面布置。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述第二場板被耦接到電勢并且所述第一場板被耦接到與耦接到所述第二場板的電勢不同的電勢。

11.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述漂移區的進一步的部分通過在所述半導體襯底中的相鄰的第三溝槽被圖案化為沿著所述第一方向延伸的第三突脊，所述半導體器件進一步包括第二場板，所述第二場板在所述第一場板和所述漏極區域之間被鄰近于所述第三突脊布置。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所述第三突脊具有與所述第二突脊的寬度不同的寬度。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一突脊的寬度d是：d≤2l_d，其中l_d表示在所述第一突脊和所述柵電極之間的界面處形成的耗盡區的長度。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述源極和所述漏極區域被置放在所述半導體襯底內并且大致地延伸到所述柵電極沿著所述半導體襯底的深度方向從所述第一主表面延伸至的深度。

15.一種包括在具有第一主表面的半導體襯底中形成的晶體管的半導體器件，所述晶體管包括：

源極區域；

漏極區域；

溝道區域；

漂移區；

鄰近于所述溝道區域的柵電極，所述柵電極被配置為控制在所述溝道區域中形成的溝道的傳導性，所述溝道區域和所述漂移區在所述源極區域和所述漏極區域之間被沿著第一方向置放，所述第一方向平行于所述第一主表面，所述溝道區域通過在所述半導體襯底中的相鄰的第一溝槽被圖案化為沿著所述第一方向延伸的第一突脊；以及

鄰近于所述漂移區布置的第一場板，所述第一場板在第一方向上延伸，其中所述漂移區的一個部分通過在所述半導體襯底中的相鄰的第二溝槽被圖案化為沿著所述第一方向延伸的第二突脊，

其中所述柵電極布置在沿著所述第一方向延伸的柵極溝槽中，并且所述第一場板布置在沿著所述第一方向延伸的場板溝槽中，其中所述柵極溝槽和所述場板溝槽被形成為使得在相鄰柵極溝槽之間的節距不同于在相鄰場板溝槽之間的節距。