[發(fā)明專利]一種雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310634212.0
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN103594520A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉揚(yáng)永;馬蒂·E·加內(nèi)特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，包括：

P型襯底；

形成在P型襯底上的外延層；

形成在外延層上的場(chǎng)氧；

形成在外延層內(nèi)的N型阱區(qū)；

形成在外延層上的柵氧；

形成在柵氧和場(chǎng)氧上的多晶硅柵；

形成在外延層內(nèi)的P型基區(qū)；

形成在N型阱區(qū)內(nèi)的第一N型重?fù)诫s區(qū)；

形成在P型基區(qū)內(nèi)的第二N型重?fù)诫s區(qū)；以及

形成在P型基區(qū)內(nèi)的P型重?fù)诫s區(qū)，所述P型重?fù)诫s區(qū)毗鄰所述第二N型重?fù)诫s區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，進(jìn)一步包括：

形成在多晶硅柵上的正硅酸乙酯層；

形成在正硅酸乙酯層和柵氧上的層間介質(zhì)層；

與第一N型重?fù)诫s區(qū)接觸的漏極電極；

與第二N型重?fù)诫s區(qū)和P型重?fù)诫s區(qū)接觸的源極電極。

3.如權(quán)利要求1所述的雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，還包括：形成在外延層內(nèi)與P型基區(qū)合并的深P型區(qū)。

4.如權(quán)利要求3所述的雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，其中所述P型基區(qū)和深P型區(qū)的接合處為圓形，且其曲率大于0.5μm。

5.如權(quán)利要求1所述的雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，還包括：形成在外延層內(nèi)P型基區(qū)下的N型輕摻雜阱區(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，其中所述雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體應(yīng)用在襯底和P型基區(qū)之間的電勢(shì)差小于1V的場(chǎng)合。

7.一種制作雙擴(kuò)散氧化物半導(dǎo)體的方法，包括：

在襯底上形成外延層；

在外延層內(nèi)形成場(chǎng)氧和N型阱區(qū)；

在外延層上形成柵氧；

在柵氧和場(chǎng)氧上形成多晶硅柵；

在多晶硅柵上形成正硅酸乙酯層；

在外延層內(nèi)形成P型基區(qū)；

在外延層內(nèi)形成與P型基區(qū)合并的深P型區(qū)；

在N型阱區(qū)內(nèi)形成第一N型重?fù)诫s區(qū)、在P型基區(qū)內(nèi)形成第二N型重?fù)诫s區(qū)和P型重?fù)诫s區(qū)，所述P型重?fù)诫s區(qū)毗鄰第二N型重?fù)诫s區(qū)；

在正硅酸乙酯層和柵氧上形成層間介質(zhì)層；

形成與第一N型重?fù)诫s區(qū)接觸的漏極電極、與第二N型重?fù)诫s區(qū)和P型重?fù)诫s區(qū)接觸的源極電極。

8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，進(jìn)一步包括：在N型阱區(qū)形成之前，在外延層內(nèi)形成N型輕摻雜阱區(qū)，其中N型阱區(qū)在之后的制作過程中形成在所述N型輕摻雜阱區(qū)內(nèi)。

9.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中所述深P型區(qū)的摻雜濃度在區(qū)間1×10¹³cm^-3～1×10¹⁵cm^-3之間，注入能量為100KeV左右。

10.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中所述P型基區(qū)和深P型區(qū)的接合處為圓形，且其曲率大于0.5μm。