[發(fā)明專(zhuān)利]錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310633486.8
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104673304A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;陳吉星;王平;黃輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C09K11/75
• 分類(lèi)號(hào): C09K11/75;H01L33/50;C23C16/40
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，其化學(xué)通式為MeSb_2-xSi₂O₁₀：xMn⁴⁺；其中：

MeSb_2-xSi₂O₁₀是基質(zhì)，Mn⁴⁺是摻雜元素；

x的取值范圍為0.01~0.08；

Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。

2.如權(quán)利要求1所述的錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述x為0.05。

3.如權(quán)利要求1所述的錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，其厚度為80~300nm。

4.一種錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將襯底裝入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將所述反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0×10^-2Pa?~1.0×10^-3Pa；調(diào)節(jié)所述襯底的溫度為250℃~650℃，轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分鐘~1000轉(zhuǎn)/分鐘，采用氬氣作為載體，所述氬氣含有四種有機(jī)源，所述四種有機(jī)源分別為摩爾比為1：（2-x）：2：x的環(huán)戊二烯堿土鹽、三甲基銻、硅烷和甲基二茂錳；

再通入氧氣，沉積得到所述錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜；所述錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為MeSb_2-xSi₂O₁₀：xMn⁴⁺；其中，x的取值范圍為0.01~0.08；Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。

5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為80nm~300nm。

6.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，將所述襯底裝入所述反應(yīng)室后，將所述襯底在600℃~800℃下熱處理10分鐘~30分鐘。

7.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述氬氣的流量為5~15sccm，所述氧氣的流量為10~200sccm。

8.一種電致發(fā)光器件，其為復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃基片、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層為錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜，所述錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為MeSb_2-xSi₂O₁₀：xMn⁴⁺；其中：

MeSb_2-xSi₂O₁₀是基質(zhì)，Mn⁴⁺是摻雜元素；

x的取值范圍為0.01~0.08；Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。

9.如權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述x為0.05。

10.如權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述錳摻雜銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為80~300nm。