[發(fā)明專利]一種輸出過(guò)壓保護(hù)電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310633004.9
• 申請(qǐng)日: 2013-11-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104682340A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈建榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安國(guó)龍竹業(yè)科技有限公司
• 主分類號(hào): H02H3/20
• 分類號(hào): H02H3/20
• 代理公司: 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215
• 代理人: 弋才富

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于LD0應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種輸出過(guò)壓保護(hù)電路。

背景技術(shù)

LDO是low?dropout?regulator，意為低壓差線性穩(wěn)壓器，是相對(duì)于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來(lái)說(shuō)的。目前的LD0芯片中，由于輸出過(guò)壓電路不存在導(dǎo)致在輸出有過(guò)壓時(shí)，輸出電壓過(guò)高導(dǎo)致后級(jí)電路燒毀，存在電路整體燒毀的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種輸出過(guò)壓保護(hù)電路，其主要原理是利用電阻分壓特性和比較器的特性、非門的反向作用。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種輸出過(guò)壓保護(hù)電路，包括：

接在LDO芯片的Vin端與EN端的電阻R1；

接在LDO芯片的EN端與GND端的并聯(lián)的電阻R2和電容C2；

接在LDO芯片的Vout端與FB端的電阻R3;

接在LDO芯片的FB端與GND端的電阻R4；

接在LDO芯片的Vout端與GND端的電容C1；

其特征在于，

LDO芯片的Vout端接電阻R5的一端，電阻R5的的另一端接電阻R6和運(yùn)放U1的正相端，電阻R6的另一端接地，運(yùn)放U1的反相端接Vref，運(yùn)放U1的輸出端接非門U2的輸入端，非門U2的輸出端接二極管D1的陰極，二極管D1的陽(yáng)極接LDO芯片的EN端。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用分壓電阻的方式和比較器、非門的反向，使得輸出電壓必須低于一定門限才能工作，避免了輸出電壓過(guò)高燒毀后級(jí)電路的風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。

如圖1所示，一種輸出過(guò)壓保護(hù)電路，包括：接在LDO芯片的Vin端與EN端的電阻R1；接在LDO芯片的EN端與GND端的并聯(lián)的電阻R2和電容C2；接在LDO芯片的Vout端與FB端的電阻R3;接在LDO芯片的FB端與GND端的電阻R4；接在LDO芯片的Vout端與GND端的電容C1。LDO芯片的Vout端接電阻R5的一端，電阻R5的的另一端接電阻R6和運(yùn)放U1的正相端，電阻R6的另一端接地，運(yùn)放U1的反相端接Vref，運(yùn)放U1的輸出端接非門U2的輸入端，非門U2的輸出端接二極管D1的陰極，二極管D1的陽(yáng)極接LDO芯片的EN端。

本方案中R5和R6組成分壓電路，當(dāng)Vout高于Vref*（R5+R6）/R6時(shí)，比較器輸出高電平，經(jīng)過(guò)非門反向后，輸出低電平，拉低電源的EN管教，電源關(guān)閉輸出，保護(hù)后級(jí)電路。

當(dāng)Vout低于Vref*（R5+R6）/R6時(shí)，比較器輸出低電平，經(jīng)過(guò)非門反向后，輸出高電平，二極管截止,不影響EN管教電平，電源正常啟動(dòng)和正常工作。