[發(fā)明專利]薄膜晶體管、顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310632892.2
• 申請日: 2013-12-02
• 公開（公告）號: CN103855225A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田承峻;曹基述;徐誠模
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜晶體管，更具體地說，涉及用作顯示裝置的開關(guān)元件的薄膜晶體管。

背景技術(shù)

薄膜晶體管廣泛用作諸如液晶顯示裝置和有機發(fā)光裝置等的顯示裝置的開關(guān)裝置。

薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極。該薄膜晶體管根據(jù)電極的排布可以被劃分為交錯結(jié)構(gòu)和共面結(jié)構(gòu)。

在交錯結(jié)構(gòu)中，柵極和源/漏極相對于有源層上下排布，而在共面結(jié)構(gòu)中，柵極和源/漏極共同排布在有源層上。

下文中，將參照附圖描述根據(jù)相關(guān)技術(shù)的薄膜晶體管。

圖1A是例示相關(guān)技術(shù)的共面結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的截面圖。

如圖1A所示，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的共面結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板包括基板10、緩沖層20、有源層30、柵絕緣膜40、柵極50、絕緣隔層60、源極70a、漏極70b、鈍化膜80和像素電極90。

雖然主要使用玻璃作為基板10，但是可以使用可以彎曲的透明塑料作為基板10。

緩沖層20形成在基板10上，并且用于防止基板10上含有的材料在高溫沉積工藝期間擴散到有源層30。

有源層30形成在緩沖層20上。

柵絕緣膜40形成在有源層30上，以使柵極50與有源層30絕緣。

柵極50形成在柵絕緣膜40上。

絕緣隔層60形成在基板的包括柵極50的整個表面上。然而，由于絕緣隔層60在預(yù)定區(qū)域中包括第一接觸孔CH1，所以有源層30的一端區(qū)域和另一端區(qū)域經(jīng)由第一接觸孔CH1而露出。

源極70a和漏極70b形成在絕緣隔層60上。具體地，源極70a和漏極70b通過第一接觸孔CH1與有源層30的露出的一端區(qū)域和露出的另一端區(qū)域連接。

鈍化膜80形成在基板的包括源極70a和漏極70b的整個表面上。然而，由于鈍化膜80在預(yù)定區(qū)域中包括第二接觸孔CH2，所以漏極70b的預(yù)定區(qū)域經(jīng)由第二接觸孔CH2而露出。

像素電極90形成在鈍化膜80上。具體地，像素電極90通過第二接觸孔CH2與露出的漏極70b的預(yù)定區(qū)域連接。

然而，上述根據(jù)相關(guān)技術(shù)的共面結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板具有以下問題。

有源層30被暴露于從基板10的下部進入的光，由此，隨著時間流逝，有源層30的可靠性降低。

圖1B是例示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的交錯結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的截面圖。

如圖1B所示，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的交錯結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板包括基板10、柵極50、柵絕緣膜40、有源層30、源極70a、漏極70b、鈍化膜80和像素電極90。

柵極50形成在基板10上。

柵絕緣膜40形成在柵極50上并使柵極50與有源層30絕緣。

有源層30形成在柵絕緣膜40上。

源極70a和漏極70b形成在有源層30上。更具體地，源極70a形成在有源層30的一端區(qū)域上，而漏極70b形成在有源層30的另一端區(qū)域上。

鈍化膜80形成在基板的包括源極70a和漏極70b的整個表面上。然而，由于鈍化膜80在預(yù)定區(qū)域中設(shè)置有第二接觸孔CH2，所以漏極70b的預(yù)定區(qū)域經(jīng)由第二接觸孔CH2露出。

像素電極90形成在鈍化膜80上。具體地，像素電極90通過第二接觸孔CH2與露出的漏極70b的預(yù)定區(qū)域連接。

然而，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的交錯結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板具有以下問題。

柵極50被形成為大尺寸，以防止從基板10的下部進入的光照射到有源層30。在這種情況下，由于增加了柵極50的尺寸，所以在設(shè)計薄膜晶體管方面可能存在限制。而且，由于增加了柵極50的尺寸，所以可能增加?xùn)艠O50與源極70a之間、以及柵極50與漏極70b之間的寄生電容，借此可能使裝置的高速驅(qū)動劣化。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明致力于一種基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點導(dǎo)致的一個或更多個問題的薄膜晶體管、顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的優(yōu)點是提供防止有源層的可靠性由于從共面結(jié)構(gòu)的基板的下部進入的光而降低并且在交錯結(jié)構(gòu)的情況下可以減小柵極尺寸的薄膜晶體管及其制造方法以及顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明另外的優(yōu)點和特征將在下面的描述中部分地得到闡述，并且，在某種程度上，對于查閱下面內(nèi)容的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得明確，或者可以通過本發(fā)明的實踐來得到了解。通過書面的說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。