[發(fā)明專利]包括SiC JFET的功率逆變器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310632701.2 | 申請日： | 2013-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN103856094A | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | C·卡斯特羅塞拉托;M·曼科爾;M·N·閔采爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H02M7/5387 | 分類號： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 德國諾伊*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 sic jfet 功率 逆變器 | ||
1.一種功率逆變器，包括：
參考線，可操作地被提供有參考電勢；
電源線，可操作地被提供有相對于所述參考電勢的直流電源電壓；
第一半橋，包括高側(cè)開關(guān)和低側(cè)開關(guān)，所述高側(cè)開關(guān)耦合于所述電源線和所述半橋的中間抽頭之間，并且所述低側(cè)開關(guān)耦合于所述中間抽頭和所述參考線之間；
其中所述低側(cè)開關(guān)由常通碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）形成；并且
其中所述高側(cè)開關(guān)由常通SiC?JFET和常斷金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的串聯(lián)電路形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率逆變器，其中所述SiC?JFET是高壓晶體管，并且所述MOSFET是低壓晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率逆變器，其中所述SiC?JFET具有大于400伏的最大反向電壓，并且所述MOSFET具有小于50伏的最大反向電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率逆變器，還包括：
第二半橋和第三半橋，每個半橋包括高側(cè)開關(guān)和低側(cè)開關(guān)，其中對于所述第二半橋和所述第三半橋兩者，所述高側(cè)開關(guān)耦合于所述電源線和相應(yīng)的半橋的中間抽頭之間，并且所述低側(cè)開關(guān)耦合于所述中間抽頭和所述參考線之間；
其中每個低側(cè)開關(guān)由單個常通SiC-JFET形成；并且
其中每個高側(cè)開關(guān)由常通SiC-JFET和常斷MOSFET的串聯(lián)電路形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率逆變器，其中每個SiC-JFET是高壓晶體管，并且所述MOSFET是低壓晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率逆變器，其中每個SiC-JFET具有大于400伏的最大反向電壓，并且每個MOSFET具有小于50伏的最大反向電壓。
7.一種用于驅(qū)動和控制三相電動機的控制器，所述控制器包括：
參考線，可操作地被提供有參考電勢；
電源線，可操作地被提供有相對于所述參考電勢的直流電源電壓；
第一半橋，包括第一高側(cè)開關(guān)和第一低側(cè)開關(guān)，所述第一高側(cè)開關(guān)耦合于所述電源線和所述第一半橋的第一中間抽頭之間，并且所述第一低側(cè)開關(guān)耦合于所述第一中間抽頭和所述參考線之間，其中所述第一低側(cè)開關(guān)由單個常通碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）形成，并且所述第一高側(cè)開關(guān)由常通SiC?JFET和常斷金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的串聯(lián)電路形成；
第二半橋，包括第二高側(cè)開關(guān)和第二低側(cè)開關(guān)，所述第二高側(cè)開關(guān)耦合于所述電源線和所述第二半橋的第二中間抽頭之間，并且所述第二低側(cè)開關(guān)耦合于所述第二中間抽頭和所述參考線之間，其中所述第二低側(cè)開關(guān)由單個常通SiC?JFET形成，并且所述第二高側(cè)開關(guān)由常通SiC?JFET和常斷MOSFET的串聯(lián)電路形成；以及
第三半橋，包括第三高側(cè)開關(guān)和第三低側(cè)開關(guān)，所述第三高側(cè)開關(guān)耦合于所述電源線和所述第三半橋的第三中間抽頭之間，并且所述第三低側(cè)開關(guān)耦合于所述第三中間抽頭和所述參考線之間，其中所述第三低側(cè)開關(guān)由單個常通SiC?JFET形成，并且所述第三高側(cè)開關(guān)由常通SiC?JFET和常斷MOSFET的串聯(lián)電路形成；
其中所述第一半橋、所述第二半橋和所述第三半橋的所述中間抽頭被配置為可操作地耦合到所述三相電動機，以用于向所述電動機提供負載電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的控制器，其中所述SiC?JFET是高壓晶體管，并且所述MOSFET是低壓晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制器，其中所述SiC?JFET具有大于400伏的最大反向電壓，并且所述MOSFET具有小于50伏的最大反向電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的控制器，還包括驅(qū)動器電路，所述驅(qū)動器電路具有耦合到所述SiC?JFET和所述MOSFET中的每個的控制端子的輸出。
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