[發明專利]一種制作多晶硅柵的方法無效
| 申請號： | 201310632141.0 | 申請日： | 2013-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN103646863A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發明（設計）人： | 李志偉;邱裕明 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陶金龍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制作 多晶 方法 | ||
1.一種制作多晶硅柵的工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S11：在形成有PWELL和/或NWELL的半導體襯底上生長一層柵氧化介質層，接著在所述柵氧化介質層，生長一層多晶硅層；
步驟S12：通過離子注入方式對所述多晶硅層進行表面摻雜工藝；其中，NMOS器件注入N型摻雜雜質，PMOS器件注入P型摻雜雜質；
步驟S13：采用多晶硅蝕刻工藝在已摻雜多晶硅層上形成多晶硅柵；
步驟S14：采用原子氧氧化工藝氧化所述多晶硅柵，在所述多晶硅柵表面形成一層致密氧化層。
2.根據權利要求1所述的制作多晶硅柵的工藝方法，其特征在于，在所述步驟S14后還包括：
步驟S15：采用化學氣相淀積工藝生長一層氮化硅，形成側墻結構。
3.根據權利要求1所述的制作多晶硅柵的工藝方法，其特征在于，所述步驟S14中采用原子氧氧化工藝氧化所述多晶硅柵的腔體環境壓力小于10Toor。
4.根據權利要求1所述的制作多晶硅柵的工藝方法，其特征在于，所述步驟S14中采用原子氧氧化工藝氧化所述多晶硅柵的加熱晶圓表面的工藝溫度為900攝氏度以上。
5.根據權利要求1所述的制作多晶硅柵的工藝方法，其特征在于，所述步驟S14中采用原子氧氧化工藝氧化所述多晶硅柵的的加熱晶圓表面的工藝氣體包括一定比例的氧氣和氫氣。
6.根據權利要求5所述的制作多晶硅柵的工藝方法，其特征在于，所述氧氣和氫氣的比例約為9:1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
