[發(fā)明專利]銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310631680.2
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN104673303A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;陳吉星;王平;黃輝
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/75
• 分類號: C09K11/75;H01L33/50
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，其化學(xué)通式為MeSbAl₂O₇：xEu³⁺,yBi³⁺；其中：

MeSbAl₂O₇為基質(zhì)，Eu³⁺和Bi³⁺為激活元素；

x的取值范圍為0.005~0.05，y的取值范圍為0.005~0.03；

Me為Ga、In或Tl。

2.如權(quán)利要求1所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，x取值為0.03，y取值為0.01。

3.一種銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（a）按照摩爾比1：1：2：x：y，分別稱取Me₂O₃、Sb₂O₅、Al₂O₃、Eu₂O₃和Bi₂O₃粉體，經(jīng)過混合均勻后，在900~1300℃下燒結(jié)，制成靶材；

（b）將步驟（a）中得到的靶材裝入磁控濺射設(shè)備的真空腔體內(nèi)，再把襯底裝入所述真空腔體內(nèi)，并將所述真空腔體的真空度設(shè)置在1.0×10^-3Pa~?1.0×10^-5Pa之間；

（c）磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)為：所述靶材與所述襯底之間的距離為45~95mm，所述襯底的溫度為250℃~750℃；所述磁控濺射設(shè)備的工作氣體為氬氣，所述氬氣的流量為10~35sccm，壓強(qiáng)為0.2~4Pa；通過所述磁控濺射設(shè)備和所述靶材在所述襯底進(jìn)行鍍膜，得到化學(xué)通式為MeSbAl₂O₇：xEu³⁺,yBi³⁺的所述銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜；其中，MeSbAl₂O₇是基質(zhì)，Eu³⁺和Bi³⁺為激活元素；x的取值范圍為0.005~0.05，y的取值范圍為0.005~0.03；Me為Ga、In或Tl。

4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟（c）制得的所述銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜是經(jīng)過真空退火處理后而制得的，所述真空退火處理溫度為500℃~800℃，時(shí)間為1~3h。

5.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（c）中，所述靶材與所述襯底之間的距離為60mm，所述襯底的溫度為500℃。

6.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（c）中，所述磁控濺射設(shè)備的工作氣體為25sccm流量的氬氣，所述氬氣為2Pa。

7.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（a）和（c）中，x取值均為0.03，y取值均為0.01。

8.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述真空退火處理溫度為600℃，時(shí)間為2h。

9.一種電致發(fā)光器件，其為復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃基片、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層為銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為MeSbAl₂O₇：xEu³⁺,yBi³⁺；其中：

MeSbAl₂O₇是基質(zhì)，Eu³⁺和Bi³⁺為激活元素；

x的取值范圍為0.005~0.05，y的取值范圍為0.005~0.03；

Me為Ga、In或Tl。

10.如權(quán)利要求9所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，x取值均為0.03，y取值均為0.01。